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金属有机化学气相沉积法生长AlN/Si结构界面的研究

于乃森 , 苗雨 , 王勇 , 邓冬梅 , 刘东平

材料导报

采用金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长了AlN外延层.高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4.研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因,同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长.

关键词: 金属有机化学气相沉积 , 氮化铝 , 非晶层