赵丽特
,
范东华
,
朱慧群
,
罗坚义
,
王忆
,
龙拥兵
,
文铨
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.12.009
薄膜的表面形貌与生长机理相关，因此可以通过研究薄膜表面形貌的演变来外推其生长机理。利用热蒸发法在硅片上制备了纳米多孔二氧化硅薄膜，利用扫描电镜(SEM)和 X 射线能谱(EDS)对不同样品的形貌、成分进行了表征。研究发现所制备的薄膜是由线状结构或直立的片状结构所构成的多孔结构。利用马拉高尼效应和润湿...
关键词:
薄膜
,
多孔氧化硅
,
纳米线
,
纳米片
,
生长机理
蒋震宗
,
范东华
,
许丹华
,
朱雨富
,
沈文忠
功能材料
利用高度有序的多孔氧化铝膜作为模板,使用简单的热蒸发Zn粉的方法,成功地制备出高度有序的ZnO纳米棒束,该方法克服了制备有序纳米结构通常需要的催化剂或复杂的合成过程.利用扫描电镜、透射电镜和X射线衍射研究了样品的形貌及其结构特性,其结果表明模板表面所制备的ZnO纳米棒具有更好的有序度和结晶质量,从而...
关键词:
热蒸发
,
ZnO纳米棒
,
光致发光
范东华
,
宁兆元
功能材料
采用交替溅射Ge和ZnO靶的方法在Si(100)单晶基片上沉积了Ge/ZnO复合多层膜,并对其在空气中不同温度下进行了快速加热处理.在高温处理中部分Ge成分会被氧化转变成Ge的氧化物,XRD结果表明所制备的薄膜是由ZnO、Ge、GeO和GeO2多晶颗粒组成的复合薄膜,且随着温度的升高晶粒的尺寸加大,...
关键词:
磁控溅射
,
Ge/ZnO多层膜
,
光致发光
范东华
,
王相虎
材料导报
采用射频磁控共溅射法在硅基片上沉积了Ge掺杂ZnO薄膜,所制备的样品具有强蓝光发射和弱黄光发射.通过分析Ge掺入量和退火温度对发光谱的影响,并与相同条件下所沉积的纯ZnO薄膜的发光特性进行比较,结果表明,蓝光发射可能与Ge杂质形成的施主能级有关,弱黄峰可能源于Ge替代Zn空位形成的杂质能级到价带的跃...
关键词:
Ge掺杂ZnO薄膜
,
光致发光
,
蓝光发射
,
黄光发射
张俊芝
,
代福
,
范东华
,
郑春来
人工晶体学报
本文采用二步法制备Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,首先通过真空热蒸发制备CuZnSn (CZT)预制层,其衬底加热温度分别为20℃、50℃、75℃和100℃,然后对所制备的CZT预制层在400℃下硫化60 min,从而制备出CZTS薄膜.利用XRD、Raman、SEM、反射谱和透射谱对所制备的C...
关键词:
Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜
,
衬底加热
,
晶体性能
范东华
,
申冬玲
,
张榕
材料导报
通过简单的两步热蒸发方法成功地实现了ZnO纳米管和纳米棒的集成.SEM结果表明,大量的纳米线以层层生长的机理从约200℃低温Si基片表面生长出来.EDS和XRD结果进一步表明第一步所制备的样品主要是由大量Zn和少量Zn的氧化物组成.第二步所制备样品的SEM和TME图像证实了在高温下以第一步所制备的样...
关键词:
热蒸发
,
ZnO纳米管
,
ZnO纳米棒
,
光致发光
