吴春霞
,
吕有明
,
李炳辉
,
赵东旭
,
刘益春
,
申德振
,
张吉英
,
范希武
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.06.003
本文利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)技术在蓝宝石 (Al2O3) 衬底上生长了Mg0.12Zn0.88O(100nm)/ZnO (20nm) /Mg0.12Zn0.88O (40nm) 异质结构,测得样品的X射线衍射谱表明,在34.56°的位置出现很强的(002)方向衍射峰,其半高宽度为0....
关键词:
ZnO/MgZnO异质结构
,
P-MBE
,
光致发光谱
梁红伟
,
吕有明
,
申德振
,
颜建锋
,
刘益春
,
李炳辉
,
赵东旭
,
张吉英
,
范希武
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.06.008
利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长ZnO薄膜,研究了不同生长温度对结晶质量的影响.随着生长温度的升高,X射线摇摆曲线(XRC)半高宽从0.88°变窄至 0.29°,从原子力显微镜(AFM)图像中发现薄膜中晶粒从20nm左右增大至200nm,室温光致发光(...
关键词:
ZnO薄膜
,
等离子体增强分子束外延
,
光致发光
,
量子限域效应
,
X射线摇摆曲线
吴春霞
,
吕有明
,
李炳辉
,
赵东旭
,
刘益春
,
申德振
,
张吉英
,
范希武
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.024
用等离子辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在蓝宝石c-平面上外延生长了MgxZn1-xO合金薄膜.在0≤x≤0.2范围内MgxZn1-xO薄膜保持着六角纤锌矿结构不变.原位反射式高能电子衍射图样和X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜.随着x值逐渐增大,Mg2+离子逐渐进入ZnO的晶格,X...
关键词:
MgxZn1- xO
,
P- MBE
,
X射线双晶衍射
,
光致发光
蒋大鹏
,
侯凤勤
,
赵成久
,
刘学彦
,
尹长安
,
赵建军
,
申德振
,
范希武
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.03.012
关键词:
白色LED
,
色坐标
,
显色指数
,
绿色照明
王丹
,
张喜田
,
刘益春
,
张吉英
,
吕有明
,
申德振
,
范希武
功能材料
用热氧化ZnS薄膜方法制备纳米ZnO薄膜, 并用X射线衍射谱,光致发光谱表征和研究纳米ZnO薄膜结构特征及热氧化温度对薄膜质量的影响. X射线衍射结果表明纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构,且随热氧化温度升高,薄膜晶粒尺寸逐渐增大.光致发光谱是由紫外激子发光和与氧空位有关的深能级缺陷发光组成的,且随热...
关键词:
纳米ZnO薄膜
,
X射线衍射
,
紫外光致发光
王颖
,
申德振
,
张吉英
,
刘益春
,
张振中
,
吕有明
,
范希武
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.01.003
采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了富硅氮化硅薄膜.利用红外吸收谱(IR)、XPS光电子能谱和光致发光谱(PL),研究了不同的退火温度对薄膜结构和发光的影响.研究发现,薄膜经退火后,在发光谱中出现一强的发光峰.当经过900 ℃退火后,随着与硅悬键有关的发光峰的消失,该...
关键词:
PECVD
,
光致发光
,
Si团簇
,
悬键
王颖
,
申德振
,
张吉英
,
刘益春
,
张振中
,
吕有明
,
范希武
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.02.004
采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了系列富硅量不同的富硅氮化硅薄膜,且所有样品分别经过不同温度的退火.通过X射线光电子能谱(XPS)的测试证实了薄膜中硅团簇的存在.对不同富硅量的氮化硅薄膜做了红外和光致发光的比较研究.由不同富硅量薄膜中硅团簇的尺寸变化对发光峰的影响,...
关键词:
氮化硅薄膜
,
光致发光
,
Si团簇
,
量子限制效应
羊亿
,
申德振
,
张吉英
,
杨宝均
,
范希武
功能材料
运用湿化学与表面化学方法制备了ZnS/HgS/ZnS/CdS量子点量子阱(QDQW)结构,以吸收光谱、光致发光及激发谱表征该结构,并研究了外层CdS对材料发光特性的影响,首次观测到CdS对中间HgS阱层发光的增强作用,并归因于隧道效应(Tunneling Effect)的存在.
关键词:
量子点
,
量子阱
,
隧道效应
李金华
,
张吉英
,
赵东旭
,
吕有明
,
申德振
,
范希武
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.01.003
ZnO的激子束缚能高达60 meV,具有优良的光学性质.因此,Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来.文章采用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO纳米晶,讨论了在不同退火温度下纳米晶的结构和磁性.XRD结果显示,所有样品均为六角纤锌矿结构.退火后,Mn掺杂ZnO纳米晶的晶格常数均略大于纯...
关键词:
Mn掺杂ZnO
,
退火
,
结构
,
磁性
