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李慧玲 , 阮可青 , 李世燕 , 莫维勤 , 樊荣 , 罗习刚 , 陈仙辉 , 曹烈兆
低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.04.006
测量了磁场下MgB2的电阻与温度的依赖关系.测量结果表明:磁场下MgB2的临界涨落电导Δσ(H)符合由Ullah和Dorsey提出的关于临界涨落的三维标度方程.MgB2中较显著的临界涨落效应起源于其较高的超导转变温度和层状结构.由临界涨落电导符合三维的标度方程而不是二维,可推知MgB2中存在较强的层间耦合.
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