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Ga掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备GZO薄膜光电性能的影响

王海林 , 孙宜华 , 莫观孔 , 方亮 , 王磊 , 黄妞

人工晶体学报

采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备掺镓氧化锌透明导电薄膜,用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、霍尔效应仪等测试分别表征GZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光电性能等,研究Ga掺杂量对GZO薄膜性能的影响.结果表明:所制备的GZO薄膜均为六方纤锌矿结构并有沿c轴择优生长趋势,随着Ga掺杂量的增加,薄膜透过率先增加再减小,当Ga掺杂量为4at%时透过率最高,可见光区平均透过率达97.4%,薄膜电阻率则随掺杂量增加而下降,在Ga掺杂量为5at%时达最小值7.62×10-3 Q·cm.

关键词: 溶胶-凝胶法 , GZO薄膜 , 透过率 , 电阻率

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