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LPCVD氮化硅薄膜的化学组成

葛其明 , 刘学建 , 黄智勇 , 黄莉萍

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.02.006

分别采用X光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)、傅立叶红外光谱(FTIR)以及弹性反冲探测(ERD)等方法,分析了三氯硅烷-氨气-氮气体系低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的化学组成,并利用原子力显微镜(AFM)观察了SiNx薄膜的表面形貌.XPS分析结果表明,当原料气中氨气与三氯硅烷的流量之比小于3时获得富Si的SiNx薄膜,当流量之比大于4时获得近化学计量的SiNx薄膜(x=1.33).AES深度分析与XPS分析结果很好地吻合,在835cm-1产生的强红外吸收峰表明Si-N键的形成,ERD分析表明所制备SiNx薄膜中的氢含量很低(1.2at.%).AFM分析结果表明,所沉积的SiNx薄膜均匀、平整,薄膜的均方根粗糙度RMS仅为0.47nm.

关键词: 氮化硅 , 薄膜 , 化学组成 , LPCVD

无压烧结制备氧氮化硅陶瓷

徐鑫 , 黄莉萍 , 葛其明 , 符锡仁

无机材料学报

以β－Ｓｉ_３Ｎ_４和ＳｉＯ_２粉末为原料，以ＭｇＡｌ_２Ｏ_４为烧结添加剂，通过无压烧结制备出致密的Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ陶瓷材料．所得材料由柱状Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ颗粒和少量β－Ｓｉ_３Ｎ_４颗粒复合组成，研究了烧结温度对材料显微结构的影响，发现材料的断裂大部分是穿晶断裂．

关键词: 氧氨化硅 , pressurelessly sintering , microstructure , mechanical properties

无压烧结制备氧氮化硅陶瓷

徐鑫 , 黄莉萍 , 葛其明 , 符锡仁

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.01.028

以β-Si3N4和SiO2粉末为原料，以MgAl2O4为烧结添加剂，通过无压烧结制备出致密的Si2N2O陶瓷材料. 所得材料由柱状Si2N2O颗粒和少量-Si3N4颗粒复合组成，研究了烧结温度对材料显微结构的影响，发现材料的断裂大部分是穿晶断裂.

关键词: 氧氮化硅 , 无压烧结 , 显微结构 , 力学性能

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