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直拉硅单晶中的新施主

林兰英 , 王占国 , 钱家骏 , 葛惟锟 , 万寿科 , 林汝淦

材料研究学报

直拉硅单晶中新施主(ND)的形成不仅依赖于其氧含量,而且为碳的存在所促进;此外,原生晶体中的微缺陷也起非常重要的作用。我们求出的新施主能级分别为E_(ND)(Ⅰ)=50±5meV,E_(ND)(Ⅱ)=100±10meV(对于P 型单晶)以及E_(ND)(Ⅲ)=25meV(对于N 型单晶)。

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