葛水兵
,
程珊华
,
宁兆元
,
沈明荣
,
甘肇强
,
周咏东
,
褚君浩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.01.010
用脉冲激光法制备了ZnO:Al透明导电膜.通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透光率和电阻率的影响.结果表明:掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.掺杂比从0.75%增至1.5%,膜的载流子浓度、透光率( 波长大于500nm)和光隙能相应增大...
关键词:
脉冲激光沉积
,
ZnO膜
,
掺杂比
葛水兵
,
宁兆元
功能材料
采用脉冲激光沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了BaTiO3/SrTiO3 (BTO/STO)多层膜.XRD结果表明:多层膜呈现出明显的(110)择优取向,与Ba0.5Sr0.5TiO3单层膜相比,多层膜的相对介电常数得到了明显的增强,而介电损耗仍然保持在较低的水平.室温下频率为10kHz...
关键词:
多层膜
,
介电性质
,
脉冲激光沉积
郑分刚
,
朱卫东
,
沈明荣
,
甘肇强
,
葛水兵
功能材料
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x≤0.2)薄膜,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能.在600℃下退火1h的PLT薄膜表现出单一的钙钛矿结构,(100)择优取向明显.在室温下PLT薄膜有典型的电滞回线.在x≤0.2(摩尔比)的范围内,PL...
关键词:
溶胶-凝胶
,
PLT薄膜
,
研究
余涛
,
吴雪梅
,
诸葛兰剑
,
葛水兵
材料导报
论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料.研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较Hfo2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性以及电学特性,但与此同时也存在如何优化掺杂量、沟道...
关键词:
高K栅介质
,
HfO2
,
Hf基高K栅介质材料
,
MOSFET器件
张可达
,
徐冬梅
,
张雪梅
,
程珊华
,
宁兆元
,
葛水兵
高分子材料科学与工程
用低温氧等离子体处理聚乙烯膜,被处理的膜通过红外、表面接触角、电子扫描显微镜、元素分析等手段证明在其表面形成了多量的羟基、羰基和羧基等含氧基团.当将这种处理膜的处理面对着原料液(UPE)、处理面对着低压侧(DPE)及原始膜(PE)分别用来渗透汽化分离乙醇-水混合物,发现PE膜为优先透醇膜.UPE渗透...
关键词:
氧等离子体
,
聚乙烯
,
渗透汽化膜
