卢维尔
,
董亚斌
,
李超波
,
夏洋
,
李楠
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13449
原子层沉积生长技术(ALD)是以表面自限制化学反应为机制的薄膜沉积技术,可以一层一层地生长薄膜.该技术具有生长温度低、沉积厚度精确可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备薄膜材料最具发展潜力的薄膜生长技术.作为ALD技术中一个关键的指标——生长速率,不仅对沉积所得薄膜的晶体质量、致密度起重要作用,更重要的是影响集成电路的生产效率.本文综述了近年来ALD生长机制和生长速率方面的研究结果,以及ALD技术生长速率的影响因素,并分析探讨了提高和改善ALD生长速率的方法以及研究趋势.
关键词:
原子层沉积
,
生长速率
,
生长机制
,
位阻效应
董亚斌
,
杜淼
,
刘晓鹏
,
郝雷
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.XY15031903
利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了AlON/TiAlON o/TiAlONM/Cu选择性吸收涂层高温真空条件下显微形貌、结构与化学成分的变化.结果表明,退火前后选择性吸收涂层的多层膜结构和微观形貌保持稳定.制备态涂层的AlON层和TiAlOND层为非晶结构,TiAlONM层由非晶基体和分散的晶粒组成.550℃高温真空退火24h后,TiAlONM层发生晶化,晶粒长大.退火过程中,O元素从Al0N层扩散至TiAlON双吸收层,而N元素从TiAlON双吸收层扩散至Al0N层,同时膜层界面区域变宽.高温真空处理后涂层的吸收率略有降低,而发射率保持不变.晶化导致TiAlONM层吸光性能下降,以及N和0元素扩散导致最优化结构被破坏是涂层吸收率衰减的主要原因.涂层在真空下热稳定激活能为189.5 kJ·mol-1,表明涂层具有较好的热稳定性.
关键词:
选择性吸收涂层
,
热稳定性
,
晶化
,
元素扩散
,
激活能
