董国波
,
张铭
,
王玫
,
李英姿
,
李朝荣
,
李华
,
黄安平
,
严辉
人工晶体学报
采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了Cu2O薄膜.系统研究了衬底温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响.XRD的结果显示,在所有衬底温度条件下均可得到单相的Cu2O结构,而且随着衬底温度由500 K升至800 K,薄膜表现出(111)择优取向的生长特点.电学和光学测试结果表明,室温电导率和光学带隙随着衬底温度的升高而增加,800 K制备的薄膜的带隙值最高约为2.58 eV.
关键词:
Cu2O薄膜
,
电导率
,
光学带隙
,
衬底温度
李仁莹
,
王明
,
董国波
,
高方圆
,
唐芳
,
王玫
,
刁训刚
人工晶体学报
采用MPS单极性脉冲磁控溅射法,在PMMA衬底上制备SiO2增透薄膜,通过改变溅射时间达到最优的增透效果.在此基础上,制备了不同溅射时间的ITO薄膜,系统研究了增透前后的可见光透过率、方块电阻和红外发射率的变化.实验结果表明,增透后薄膜可见光平均透光率提高大约6％,对于溅射时间小于60 min的ITO薄膜增透之后的平均透光率达到80％以上,同时薄膜的方块电阻以及红外发射率变化较小.
关键词:
SiO2薄膜
,
增透
,
ITO薄膜
赵学平
,
张铭
,
董国波
,
董培明
,
严辉
稀有金属材料与工程
采用固相反应合成了CuAl1-xFeO2单相多晶材料,系统报道了该系列样品的X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电学性能的测量.结果表明,Fe3+取代CuAlO2中的Al3+,不改变材料的晶体结构.随着掺杂量的增加,材料的光学带隙宽度逐渐减小,导电性能明显提高.当x=0.10时,样品的室温电导率达到3.38×10-1 S·cm-1;所有掺杂样品的电导率随温度变化曲线在近室温区,很好地符合Arrhenius关系,其热激活能为20～32 meV;Hall系数均为正值,表明所有样品都为P型半导体.
关键词:
P型
,
带隙
,
铜铁矿
,
Fe掺杂CuAlO2
兰伟
,
董国波
,
张铭
,
王波
,
严辉
,
王印月
稀有金属材料与工程
使用多晶CuAlO2陶瓷靶,利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜.傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu-O,Al-O和O-Cu-O键.在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透过性,衬底温度为400℃～500℃时薄膜透过率在60%～70%之间,计算拟合得到Cu-Al-O薄膜的直接和间接带隙能分别为3.52 eV和1.83 eV左右,与多晶CuAlO2薄膜结果一致.在近室温区薄膜符合半导体热激活导电机制,其电导率随衬底温度的升高先增大后减小,500℃沉积的薄膜导电性较好,室温电导率达到2.36×10-3 S·cm-1,这可能源于Cu-Al-O薄膜中与CuAlO2相关的键合形成情况的改善.
关键词:
Cu-Al-O薄膜
,
衬底温度
,
透过率
,
电导率
李军
,
兰伟
,
张铭
,
董国波
,
严辉
材料导报
透明导电氧化物(TCO)的出现开拓了光电子器件研究的新领域.但p型TCO的相对匮乏严重制约了透明氧化物半导体(TOS)相关器件的开发与应用.CuAlO2作为一种天然的p型TCO成为近年来p型TCO的研究热点.介绍了p型TCO的研究现状,综述了不同制备方法制备p型CuAlO2薄膜的研究进展,以及在器件方面的应用,并对其前景进行了展望.
关键词:
透明导电氧化物(TCO)
,
p型TCO
,
CuAlO2薄膜
石玥
,
高方圆
,
董国波
,
刁训刚
金属功能材料
热电材料是一种集发电与制冷两种功能于一身的新型功能材料,已经成为21世纪新型功能材料研究领域的热点.概述了热电材料的发展历史,阐明了热电效应的理论基础,新型高效热电材料的发展现状及发展趋势,并对如何提高热电材料的优值系数及热电转化效率进行了分析.
关键词:
热电材料
,
优值系数
,
转换效率
,
温差发电器
王轩
,
董国波
,
张敏
,
高方圆
,
朱敦智
,
刁训刚
稀有金属材料与工程
利用非平衡磁控溅射技术,在室温条件下制备了一系列不同N2流量的Ti-N薄膜,研究了N2流量对薄膜微观形貌和光学性能的影响.根据分析结果设计并制备了四层结构的Ti-N太阳能选择性吸收薄膜,通过软件对薄膜进行了优化设计并进行了实验验证.结果表明,随着N2流量的增加,薄膜的微观形貌发生变化,逐渐出现气泡状沉积物及气泡破裂状形貌,直至变为无定型态.通过紫外-可见-近红外光谱分析可知,选用合适的工艺可有效提高太阳能吸收薄膜光学性能,利用软件对薄膜进行优化设计可使薄膜光学性能获得进一步改进,经过优化的薄膜吸收率达0.9048,可用作太阳能光谱选择性吸收薄膜.
关键词:
磁控溅射
,
室温
,
氮化钛
,
选择性吸收薄膜
,
优化设计
