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检索条件:作者=董志华  

  • 论文(6)

以磁控溅射+自组装反应方式制备GaN薄膜

薛成山 , 董志华 , 庄惠照 , 王书运 , 高海永 , 田德恒 , 吴玉新

稀有金属材料与工程

为了用简单的方法得到GaN薄膜,以射频磁控溅射方法将Ga2O3薄膜沉积到Si(111)衬底上的SiC中间层上,通过其同NH3的自组装反应形成了GaN薄膜.同样,利用磁控溅射方法把SiC层沉积到Si衬底.其目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力.为了比较中间层的作用,对按照两种方案...

关键词: 射频磁控溅射 , 自组装 , 中间层 , SiC

氨化硅基Ga2O3/Al2O3制备GaN薄膜的发光特性研究

魏芹芹 , 薛成山 , 孙振翠 , 曹文田 , 庄惠照 , 董志华

稀有金属材料与工程

研究了Ga2O3/Al2O3膜氨化反应自集结制备GaN薄膜的光致发光特性,讨论了发光机制以及生长条件对其光致发光特性的影响.样品的荧光光谱在347 nm有一强发光峰,在412 nm有一弱发光峰,这两个峰的强度都随着氨化温度的升高和氨化时间的增长而增强,但峰的位置保持不变.我们认为347 nm的峰是G...

关键词: GaN薄膜 , 荧光光谱 , 带边发射 , 辐射复合

氮化ZnO/Ga2O3薄膜合成GaN纳米管

庄惠照 , 高海永 , 薛成山 , 王书运 , 何建廷 , 董志华

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.01.031

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3 薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长...

关键词: GaN纳米管 , ZnO/Ga2O3薄膜 , 射频磁控溅射 , 氮化

16MnNb钢圆坯连铸二冷制度的研究

陈春梅 , 陈登福 , 董志华 , 龙木军 , 申嘉龙 , 徐松

钢铁

以某钢厂圆坯连铸机为研究对象,建立了连铸坯凝固传热模型。在不同拉速下对280 mm断面圆坯二次冷却过程进行仿真优化,确定了16MnNb钢合适的二冷制度。根据仿真结果,在最小工作拉速(0.9 m/min)下,矫直点处铸坯内弧表面中心温度为947℃,有效避开了铸坯的二次低延性区。在最大工作拉速(1.2 ...

关键词: 圆坯连铸 , 二次冷却 , 16MnNb钢 , 仿真优化

ZnO/Ga2O3膜的氨化温度对制作硅基GaN纳米材料的影响

庄惠照 , 高海永 , 薛成山 , 董志华

稀有金属材料与工程

通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料.氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上.用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的形貌.通过对测试结...

关键词: 氨化 , ZnO/Ga2O3薄膜 , 挥发 , 射频磁控溅射

20CrMnTi钢连铸坯柱状晶区的高温力学性能

董志华 , 陈登福 , 龙木军 , 张星 , 申嘉龙

材料研究学报

采用Gleeble-1500D热/力模拟实验机进行拉伸实验,测试20CrMnTi钢650-1050℃温度范围柱状晶区内的应力-应变曲线、高温强度、硬化系数及热塑性,研究了铸坯各高温力学性能参量与取样位置的关系.结果表明,随着距铸坯表面距离的增加,铸坯抗拉强度降低,低温(650℃)下的硬化系数明显增大...

关键词: 金属材料 , 高温力学性能 , 铸坯 , 20CrMnTi钢 , 柱状晶区