李明华
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游顺青
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刘洋
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陈喜
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董跃刚
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于广华
功能材料
采用磁控溅射制备了Ta/NiFe/IrMn/Ta薄膜,研究了反铁磁IrMn的溅射功率和铁磁层NiFe厚度对多层膜交换偏置场的影响。在反铁磁IrMn中插入MgO,发现MgO含量对交换偏置场有一定影响。随着MgO含量的增加,多层膜的交换偏置场逐渐增大,当MgO的含量约为2.5%交换偏置场达到最大值。随着MgO含量进一步增加交换偏置场下降。在IrMn中插入适量的MgO可以有效地增加交换偏置场。
关键词:
MgO
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掺杂
,
交换偏置场
