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Experimental study of the anode injection efficiency reduction of 3.3-kV-class NPT-IGBTs due to backside processes

蒋华平 , 张波 , 刘闯 , 陈万军 , 饶祖刚 , 董彬

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/33/2/024003

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