熊飞
,
张辉
,
张鹏翔
,
蒋最敏
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.003
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在SrTiO3单晶衬底表面外延生长单相的1.85 Ce0.15 CuO4(NCCO)薄膜,并首次在斜切衬底上生长的NCCO薄膜中探测到激光感生热电电压(LITV)信号.实验研究表明,在低沉积温度、高沉积氧压和较大的激光脉冲重复频率下生长的NCCO薄膜中存在Nd1-xCexO<<1.75>,(NCO)杂相,是由于衬底表面吸附粒子扩散迁移困难所致;而高温下真空退火导致杂相的产生,则与NCCO的结构相变引起的热分解有关.通过提高沉积温度、降低沉积氧压和激光脉冲重复频率、并采用低温(T≤800℃)真空退火的方式,可以抑制杂相的形成.制备得到的单相的NCCO外延薄膜是一种新型的原子层热电堆材料,能量为1mJ的紫外脉冲激光的辐照,可以在倾斜的NCCO薄膜中诱导产生0.8V的LITV信号.
关键词:
Nd1.85Ce0.15CuO4薄膜
,
激光感生热电电压效应
,
脉冲激光沉积
,
X射线衍射
方泽波
,
谭永胜
,
朱燕艳
,
陈圣
,
蒋最敏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00357
采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er2O3高k栅介质薄膜的生长. 俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比. X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明, 不但原位沉积的薄膜是非晶结构, 而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性. 原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌. 退火后, Er2O3薄膜获得了平整的表面. 电容-电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6, EOT为1.4nm, 在1MV/cm时漏电流密度为8×10-4A/cm2. 这些特征表明非晶Er2O3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.
关键词:
高k栅介质
,
Er2O3
,
reactive evaporation
方泽波
,
谭永胜
,
朱燕艳
,
陈圣
,
蒋最敏
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.02.031
采用高真空反应蒸发法在未加热的P型Si(100)衬底上实现了非晶Er2O3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比. X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜足非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er2O3薄膜获得了平整的表面.电容.电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10-4A/cm2.这些特征表明非晶Er2O3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.
关键词:
高k栅介质
,
Er2O3薄膜
,
反应蒸发
