蔡苇
,
崔鸿越
,
郭桂珍
,
赵贵哲
,
孙友谊
,
韩涛
,
刘亚青
硅酸盐通报
以丙烯酸、甲氧基聚乙二醇丙烯酸酯、烯丙基磺酸钠为原料,分别制备引入羧基侧链、引入聚氧乙烯侧链以及同时引入羧基与聚氧乙烯侧链的聚羧酸减水剂.加入水泥净浆性能测试结果表明,羧基侧链对减水剂的分散性能影响较大,聚氧乙烯侧链对减水剂的保塑性能影响较大,同时具有两种侧链的减水剂的分散性能和保塑性能都得到提高.
关键词:
聚羧酸系减水剂:羧基侧链:聚氧乙烯侧链
,
分散性能
,
保塑性能
蔡苇
,
陈晓勇
,
符春林
,
高荣礼
,
邓小玲
,
陈刚
人工晶体学报
采用溶胶-凝胶匀胶法制备锆钛酸铅铁电薄膜,研究了前驱体影响因素(如有机溶剂、前驱单体加入顺序、添加剂)、溶胶影响因素(如溶胶浓度、pH值)、匀胶速度和退火温度对成膜质量及薄膜微结构、铁电性的影响.结果表明:采用乙二醇甲醚为溶剂对pb2+、Zr4+和Ti4+金属盐进行溶解优于乙醇和乙二醇,但由于乙二醇甲醚对硝酸锆的溶解性差,对硝酸锆应先用乙醇溶解再加入乙二醇甲醚的方法来进行溶解;以硝酸锆为Zr源配制溶胶时,只有先将Pb前驱液滴加到Ti前驱液中,然后再滴入Zr前驱液的方式才能得到澄清前驱体.将锆钛酸铅溶胶浓度和pH值分别控制在0.2～0.3 mol/L和2～3较为适宜,与此溶胶相适应的匀胶参数:转速为4000 r/min,时间为60 s.随退火温度升高,薄膜的晶化程度增加,且逐渐表现出(100)晶面择优取向,晶格常数c和四方率c/a逐渐增加,而晶格常数a逐渐减小;随退火温度升高,晶粒尺寸逐渐增大,使得剩余极化强度逐渐增加,矫顽场强逐渐减小.当退火温度为850 ℃时制备的锆钛酸铅薄膜具有均匀的晶粒、较低的表面粗糙度和最为优异的铁电性.
关键词:
锆钛酸铅
,
溶胶-凝胶法
,
铁电
钟世兴
,
蔡苇
,
符春林
,
刘凯华
硅酸盐通报
锆钛酸铅材料因具有优异的介电、压电和铁电性被广泛用于制作电容器、压电器件和铁电随机存储器等功能器件.本文综述了锆钛酸铅铁电薄膜材料中锆钛比、掺杂种类及掺量对其介电性和铁电性的影响,并提出了亟待解决的问题.
关键词:
锆钛酸铅
,
组成
,
掺杂
,
介电
,
铁电
蔡苇
,
符春林
,
胡文广
,
邓小玲
,
陈刚
人工晶体学报
采用微波烧结法制备铁酸铋多铁陶瓷,研究了微波烧结时间对其显微结构、介电性和铁电性的影响.结果表明:在4 kW下烧结35～40 min制备出基本为纯相的铁酸铋陶瓷；随烧结时间增加,铁酸铋陶瓷结构越来越致密,晶粒尺寸有一定程度增大；在-10～90℃范围内,介质损耗随烧结时间增加而增大；随微波烧结时间增加,剩余极化强度增大,而矫顽场强先增加后减小,且铁电性具有明显的频率依赖性；铁酸铋陶瓷的漏电流随微波烧结时间增加而减小,这是结构致密化的结果.
关键词:
铁酸铋
,
微波烧结
,
介电
,
铁电
向炼
,
陈刚
,
符春林
,
蔡苇
,
李小双
,
宋云霞
人工晶体学报
采用固相法制备了Nb2Sr2-xYxO7陶瓷.研究了掺Y对陶瓷的晶体结构、表面形貌、铁电、介电和压电性能的影响.研究结果表明:钇掺杂Sr2 Nb2 O7陶瓷,Y3+取代了A位Sr2+,形成Nb2 Sr2-xYxO7固溶体,并提高了铌酸锶陶瓷铁电、介电和压电性能.在x=0.05时,Nb2 Sr2-xYxO7陶瓷的铁电性能达到最大(剩余极化强度Pr=0.254μC/cm2);在x=0.1时,Nb2Sr2-xYxO7陶瓷的介电性能达到最大(相对介电常数εr=90,介电损耗tarδ≤0.01).
关键词:
铌酸锶
,
压电陶瓷
,
铁电
,
介电
,
压电
姜维海
,
刘行冰
,
林泽彬
,
蔡苇
,
符春林
表面技术
铁电体具有反常光生伏打效应,是一类极具发展潜力的新型太阳能电池材料和光电敏感材料.钛酸钡是最为典型的一种铁电材料,为将它用作太阳能电池和光电敏感材料,国内外对它的光学性质进行了广泛研究.综述了溶胶凝胶制备条件、膜厚、掺杂与钛酸钡铁电薄膜光学性质的关系,并提出了研究中亟待解决的问题.
关键词:
钛酸钡
,
薄膜
,
溶胶凝胶法
,
掺杂
,
光学性质
崔鸿越
,
蔡苇
,
孙友谊
,
赵贵哲
,
刘亚青
硅酸盐通报
以丙烯酸,丙烯酰胺和烯丙基磺酸钠为原料,过硫酸铵为引发剂,采用自由基水溶液共聚法合成了一种聚羧酸盐减水剂,通过多种检测方法证明了所合成的物质是一种三元共聚物,并对其进行了性能测试.研究了反应温度、引发剂用量和pH值对聚合物产率和结构的影响.用较简单的原料合成了一种产率高,性能优良的高效减水剂.
关键词:
聚羧酸
,
减水剂
,
合成
,
表征
曾冬
,
符春林
,
蔡苇
,
郭倩
,
谭平
,
张朝阳
人工晶体学报
采用基于密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了ZnS体系Ni掺杂前后的能带结构、态密度和光吸收系数曲线.结果表明:纯ZnS的能带结构是直接带隙,态密度显示属离子性较强而共价键较弱的混合键半导体材料.掺Ni的ZnS禁带宽度随掺杂量增加逐渐减小,能带简并度增大,且向低能方向移动；在价带顶出现杂质能级,说明是p型掺杂.纯ZnS在3.9 eV以下无吸收,红外透过率较高.掺Ni后吸收边红移,且在低能端(绿光区)出现新的吸收峰.
关键词:
第一性原理
,
硫化锌
,
电子结构
,
光学性质
,
掺杂
