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检索条件:作者=薛晶文
赵宏健 , 薛晶文 , 周珏辉 , 赵宏伟
材料导报
采用基于局域密度近似的第一性原理方法计算了InP的能带结构和电子态密度,并对InP晶体的电荷分布进行了Mulliken布局分析.计算表明InP是直接带隙半导体材料,其价带主要由In的5s以及P的3s、3p态电子构成,导带主要由P的3p以及In的5s、5p态电子构成;P原子与In原子的电子重叠布局数达...
关键词: InP , 第一性原理 , 能带结构 , 光学性能