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等离子体辅助有机金属(CH_3)_3Ga化学气相沉积GaN薄膜

郭超峰 , 陈俊芳 , 符斯列 , 薛永奇 , 王燕 , 邵士运 , 赵益冉

材料导报

采用ECR等离子体辅助技术,融合化学气相沉积法,在450℃的相对低温条下于Si(100)衬底上生长出GaN薄膜.对样品进行了XRD、FT-IR和AFM表征,并在制备过程中采集到反应室中N_2-(CH_3)_3Ga等离子体的发射光谱.结果表明,所制备的多晶体GaN薄膜是由N_2-(CH_3)_3Ga等...

关键词: 等离子体 , 化学气相沉积 , GaN , 反应 , 生长机制