欢迎登录材料期刊网
成步文 , 薛春来 , 罗丽萍 , 韩根全 , 曾玉刚 , 薛海韵 , 王启明
材料科学与工程学报
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×105 cm-2.原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si与Ge的界面处形成失配位错来实现的.
关键词: 硅基 , Ge , 外延
