徐亚新
,
熊杰
,
夏钰东
,
张飞
,
薛炎
,
陶伯万
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12385
采用直流溅射法在Y2O3/YSZ/CeO2(YYC)缓冲层的织构NiW基带上,通过基片温度调制YBa2Cu3O7-δ (YBCO)外延薄膜生长.X射线衍射仪(XRD)表征显示,基片温度强烈地影响YBCO薄膜的外延生长:在较低的基片温度下薄膜趋于a轴取向生长,随基片温度升高薄膜逐渐变为纯c轴取向生长.由于a轴晶粒引起的大角度晶界会阻碍超导电流在a-b面内的传输,因此YBCO薄膜的微观结构和超导电性能随温度升高而得到改善,但是随着基片温度继续升高,基带的氧化程度加剧,YBCO与缓冲层间发生界面反应,从而导致薄膜质量衰退.本研究还计算了YBCO薄膜中的位错密度,并研究了位错密度与自场下YBCO薄膜临界电流密度(Jc)之间的关系.结果表明:YBCO薄膜在自场下的临界电流密度对螺旋位错密度比对刃型位错密度更加敏感,这主要是由YBCO薄膜的螺旋生长机制引起的.
关键词:
YBa2Cu3O7-δ(YBCO)
,
基片温度
,
生长取向
,
位错密度
孟建波
,
桑革
,
薛炎
,
曹伟
,
叶小球
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2007.12.017
将固体聚合物电解质(SPE)水电解技术应用于H/D同位素分离,考察了电极材料、电流密度和温度对分离系数(α)的影响.在40 ℃、90×10-3 A/cm2条件下,得到IrRu/Nafion117/PbAg、IrRu/Nafion117/TiNi3、IrRu/Nafion117/Ni和C/Nafion112/Pt-TiO2三合一电极(MEA)的H/D分离系数α分别为4.49、3.48、3.14和4.53.对IrRu/Nafion117/PbAg电极研究结果为:电流密度分别为90×10-3、150×10-3和300×10-3 A/cm2,40 ℃时分离系数α分别为4.49、4.65、5.46,60 ℃时分别为3.76、4.11、4.38;温度分别为40、60和70℃,电流密度为90×10-3 A/cm2条件下,分离系数α分别为4.49、3.76、3.53,ln α～103/T的拟合直线为ln α=0.816×(103/T)-1.112.在40～70 ℃范围内反应的活化能-△Ha约为6 778 J/mol.结果表明,分离系数α随电流密度增加而增大,随温度升高而减小.此外,分析了Nafion膜中在H/D传输的同位素效应.
关键词:
固体聚合物电解质
,
水电解
,
电催化剂
,
氢同位素
,
分离
