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溶胶-凝胶法与磁控溅射法制备ZnO薄膜性能对比研究

李海峰 , 沈长斌 , 薛钰芝 , 李剑峰 , 申琳

材料导报

分别采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法和射频(RF)反应磁控溅射法在普通玻璃片上制备出ZnO薄膜,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、分光光度计、台阶仪等检测手段分别对其进行了分析比较.结果表明:相同基底和退火温度下,RF磁控溅射法制备的ZnO薄膜具有更优异的晶化质量;在波长390~850nm范围内的透射率都在80%以上,薄膜的吸收长波限值分别约为375nm和390nm,计算出其禁带宽度分别为3.31eV和3.18eV.

关键词: 溶胶-凝胶法 , 射频磁控溅射 , ZnO薄膜

铜铟硒光伏材料的制备技术

武素梅 , 薛钰芝 , 周丽梅

材料导报

黄铜矿型的CulnSe_2(CIS)是CIS太阳能电池的核心材料,CIS材料的制备技术对太阳能电池的效率和成本有极大影响.CIS材料性能的理论研究推动了单晶制备工艺,而粉体材料制备技术因有望用于太阳能电池的低成本制备而逐渐受到重视,薄膜材料的制备工艺则随着薄膜太阳能电池的研究得到极大发展.阐述了单晶、粉体和薄膜等CIS光伏材料的制备方法,介绍了几种典型的制备技术,并总结了这几种方法的技术特点.

关键词: CulnSe_2光伏材料 , 单晶 , 粉体 , 薄膜 , 制备技术

OTS修饰的不同厚度酞菁铜OTFT的研究

刘向 , 刘惠 , 薛钰芝

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.01.014

用十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰了不同厚度的酞菁铜(CuPc)有机薄膜晶体管器件, 对比酞菁铜厚度为15、40、80 nm的3种器件性能后,得到40 nm的酞菁铜器件具有最高载流子迁移率.分析了OTS修饰的绝缘层表面对器件性能的影响,得到的40 nm厚度酞菁铜器件载流子迁移率为4.3×10-3cm2/V*s, 阈值电压为-9.5 V.

关键词: 酞菁铜 , 半导体厚度 , 载流子迁移率

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