袁剑峰
,
杨柏梁
,
朱永福
,
李牧菊
,
刘传珍
,
吴渊
,
廖燕平
,
王刚
,
邵喜斌
,
刘宏武
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.005
介绍了a-Si:H TFT开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作.研制了a-Si∶H TFT单管器件,其开关电流比达到6个数量级,为最终研制a-Si∶H TFT AMLCD视频图像显示器奠定了坚实的基础.
关键词:
a-Si
,
HTFT开关器件
,
有源层
,
栅绝缘层
,
界面特性
刘传珍
,
杨柏梁
,
朱永福
,
李牧菊
,
袁剑峰
,
王刚
,
吴渊
,
刘洪武
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.02.010
介绍了薄膜晶体管(TFT),特别是p-Si(多晶硅)TFT矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性, 对器件参数的选择进行了分析.
关键词:
多晶硅
,
薄膜晶体管
,
有源矩阵液晶显示
刘晓那
,
宋勇志
,
徐长健
,
周波
,
马国靖
,
陈松飞
,
袁剑峰
,
林承武
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142903.0317
利用mini-cell作为评价平台,从配向膜材料自身特性角度,对配向膜材料与面残影之间的关联性进行了综合研究.一方面,配向膜材料自身优异的稳定性有助于维持电压保持率(VHR);另一方面,配向膜材料自身的低电阻率特性有助于存储电荷的释放,利于实现较低的残余电流(RDC).而当配向膜材料的RDC和高低温间VHR变化值同时处于较低水平时,可以获得面残影水平较低的TFT-LCD模块.因此,利用mini-cell对配向膜材料进行评估,通过比较RDC以及△VHR数值,可以间接实现对TFT-LCD的残影结果评估,为实际生产中产品残影的改善提供了基础理论指导,具有重要的指导性作用.
关键词:
配向膜
,
电压保持率
,
残余电流
,
残影
刘耀
,
陈曦
,
张小祥
,
刘晓伟
,
李梁梁
,
丁向前
,
郭总杰
,
袁剑峰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153005.0784
最终关键尺寸是评价薄膜晶体管液晶显示器产品性能的一项重要参数。本文研究了在光源照度变化的条件下得到准确的最终关键尺寸的方法。通过大量的实验测试、数据分析，并配合扫描电子显微镜(SEM)图片，确定最终关键尺寸合适的测试条件和方法。基于上述分析，选取测量值稳定的光照强度区间中心点的光照强度作为标准样品参照值，选取此时样品测试图片作为标准图片。测试结果与 SEM 结果进行对比，得到不同膜层测量值和真实值之间的补偿值。并通过不同尺寸产品的数据收集和分析来验证补偿值的可靠性。通过上述方法，可以极大地缩短最终关键尺寸测量的校正周期，并为今后新产品开发提供可靠的测试标准。
关键词:
最终关键尺寸
,
测试方法
,
扫描电子显微镜
,
补偿值
王守坤
,
袁剑峰
,
郭总杰
,
郭会斌
,
刘杰
,
郑云友
,
贠向南
,
李升玄
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153005.0801
对 TFT 制作工艺中,TFT 有源层刻蚀均一性与电学性质进行分析研究。通过扫描电子显微镜,电学测试设备对样品进行分析。结果显示沟道有源层的刻蚀功率,气体比例及刻蚀压强对有源层的刻蚀均一性都有较大影响,并会影响TFT 电学特性的均一性。通过适当降低刻蚀功率及反应气体 SF6/Cl2的比例,同时,降低反应压强,可以改善有源层刻蚀的均一性。从而,TFT 电学特性的均匀性得到优化。
关键词:
薄膜晶体管
,
加强型阴极耦合等离子体
,
有源层
,
非晶硅膜
,
均一性
李牧菊
,
杨柏梁
,
朱永福
,
刘传珍
,
袁剑峰
,
吴渊
,
廖燕平
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.02.007
建立了a-Si TFT AMLCD的等效电路模型, 综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容构成的RC(Resistivity Capacitance)常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系,为实现器件优化设计提供参考.
关键词:
栅电极电阻
,
交叠电容
,
沟道电容
,
信号延迟
,
RC常数
刘传珍
,
杨柏梁
,
李牧菊
,
朱永福
,
袁剑峰
,
寥燕平
,
吴渊
,
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.006
建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型.利用TFT的线性近似和Elmore模型,计算了周边驱动电路中的信号失真,讨论了栅延迟与金属栅电极材料的关系及对TFT开态电阻的要求.
关键词:
薄膜晶体管
,
有源矩阵液晶显示
,
延迟
李牧菊
,
杨柏梁
,
朱永福
,
袁剑峰
,
刘传珍
,
廖燕平
,
吴渊
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.007
用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)并进行了退火实验,利用红外吸收光谱(IR)和金相显微镜研究薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象,得出材料组成及热稳定性对衬底温度Ts和射频功率Prf的依赖关系.
关键词:
非晶硅
,
化学气相淀积
,
红外光谱
,
金相显微
王丹
,
马国靖
,
任锦宇
,
徐长健
,
宋勇志
,
袁剑峰
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153001.0047
目前,LCD行业已经趋于成熟.各大面板企业都在提升自身产品的竞争力:高分辨率、高色域、轻质化、窄边框化以及高对比度等等.本文从聚酰亚胺取向层材料方面着手提高对比度进行了研究与阐述.研究过程中利用实验室与产线进行了实际测试,通过对比不同性质的取向膜材料所制作的平面电场宽视角(ADS)模式液晶面板,证明了配向能力越高的取向材料得到的面板对比度越高.高配向力的取向层可以使液晶分子的排列更加有序化,在常暗模式的FFS显示器中,初始位置的液晶分子预倾角越低,液晶面板的暗态越好,在亮态相同的情况下,对比度将会提高.
关键词:
聚酰亚胺
,
取向膜
,
平面电场宽视角技术
,
对比度
