陆大成
,
刘祥林
,
韩培德
,
王晓晖
,
汪度
,
袁海荣
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.01.001
报道用自行研制的LP-MOVPE设备，在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED，其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。
关键词:
GaN
,
InGaN
,
AlGaN
,
双异质结
,
量子阱
,
蓝光LED
,
绿光LED
,
MOVPE
