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检索条件:作者=覃攀  

  • 论文(4)

常压高频放电等离子体炬改进制备CO2/CH4重整用Ni/MgO催化剂

覃攀 , 徐慧远 , 龙华丽 , 冉祎 , 尚书勇 , 储伟 , 印永祥 , 戴晓雁

催化学报 doi:10.3724/SP.J.1088.2011.10309

比较了常规法、等离子体炬法和等离子体炬辅助焙烧法制得的Ni/MgO催化剂上CO2/CH4重整反应性能差异,并利用X射线衍射、透射电镜、X射线光电子能谱和CO2程序升温表面反应等技术对反应前后催化剂进行了表征,结果表明,采用等离子体炬辅助焙烧法制备的催化剂上Ni晶粒粒径小,分散度较高,低温活性和抗积炭...

关键词: , 氧化镁 , 二氧化碳 , 甲烷 , 重整 , 常压高频放电等离子体炬

光辐照驱动CH4-CO2重整中Ni/MgO-Al2O3催化活性吸收体的活性

龙华丽 , 胡诗婧 , 徐艳 , 覃攀 , 尚书勇 , 印永祥 , 戴晓雁

催化学报 doi:10.3724/SP.J.1088.2011.10406

将等离子体还原法和常规焙烧还原法制备的Ni基催化剂用于制备太阳能催化活性吸收体,在氙灯模拟的太阳光聚光反应系统中,考察了其催化CH4-CO2重整反应活性.结果表明,等离子体还原法制备的Ni/MgO-A12O3催化活性吸收体的低温活性最高,在光辐照平均能流密度为61 kW/m2,空速36 dm3/(g...

关键词: 等离子体 , 甲烷 , 二氧化碳 , 重整 , 光辐照 , 镍基催化剂 , 氧化镁 , 氧化铝

西门子CVD还原炉内硅棒生长环境的数值模拟

王子松 , 黄志军 , 覃攀 , 雷雳光 , 印永祥 , 戴晓雁

人工晶体学报

考虑包括热辐射在内的质量传递、动量传递、热量传递三维模型,利用流体力学计算软件,对18对棒西门子多晶硅CVD还原炉实际情况进行数值模拟.考察了两种进气方式下还原炉内的流场和温度场分布.计算结果表明,为了实现硅棒均匀沉积,与底盘上分散进气、中心集中出气的还原炉结构相比,中心集中进气、中环与外环之间分散...

关键词: 计算流体力学 , 多晶硅 , CVD还原炉 , 辐射热传递

等离子体还原SiCl4一步法制备多晶硅实验研究

冉祎 , 兰天石 , 覃攀 , 戴晓雁 , 印永祥

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.025

区别于改良西门子法、硅烷法、碳热还原法、区域熔炼法等多晶硅生产工艺,利用等离子体技术,建立了以硅的氯化物为原料,一步法制备多晶硅的实验装置和工艺流程,并在此基础上进行了粒状多晶硅制备的实验.实验表明,SiCl4单程转化率超过70%,多晶硅选择性60%.利用XRD、SEM、AS等分析手段,对所得产物进...

关键词: 多晶硅 , 等离子体 , 四氯化硅 , 一步法 , 西门子法