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不同氧流量条件下ZnO纳米棒阵列的形成及机理分析

曹培江 , 解振宇 , 韩舜 , 柳文军 , 贾芳 , 曾玉祥 , 朱德亮 , 吕有明

材料导报

采用脉冲激光沉积结合化学气相沉积方法在p-Si(111)衬底上制备了呈直立生长的ZnO纳米棒阵列,并且研究了氧流量对ZnO纳米棒尺寸、结晶特性等性质的影响.研究结果表明,在没有氧气的环境下无法生长ZnO纳米棒;随氧流量减小,不同晶面上ZnO生长速率的不同导致ZnO纳米棒长度减小、直径变粗、结晶质量变差、纳米棒面密度减小.氧流量的减小使得ZnO纳米棒中的氧空位缺陷含量增加,导致位于约520 nm处的绿光峰增强.

关键词: ZnO纳米棒阵列 , 化学气相沉积 , 发光性能

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