朱建强
,
刘涌
,
王靖
,
詹宝华
,
宋晨路
,
韩高荣
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.06.018
采用APCVD工艺用硅烷和乙烯为原料在620℃沉积硅薄膜.用AFM观察薄膜表面形貌,用SEM扫描截面测量薄膜厚度.FTIR光谱表明薄膜中存在Si-C.研究了C2H4/SiH4摩尔比对膜厚的影响,随着C2H4/SiH4的增大,薄膜的沉积速率降低,表明乙烯掺杂会抑制薄膜生长,同时乙烯的加入减弱了颗粒的异常长大.
关键词:
APCVD
,
硅薄膜
,
乙烯掺杂
,
AFM
,
FTIR
詹宝华
,
宋晨路
,
刘涌
,
朱建强
,
韩高荣
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.06.016
通过硅烷、乙烯和氮气的混合气体在620下采用常压化学气相沉积(APCVD)法沉积了非晶硅薄膜,讨论了乙烯/硅烷的体积比(R=VC2H4/VsiH4)对薄膜的光学性质的影响.用Raman光谱、红外光谱和紫外-可见光光谱仪对薄膜进行表征.结果表明通过乙烯掺杂制备的薄膜样品中存在着Si-C键,在R值变化的开始阶段薄膜的光学带隙随着R值增大而增大,在R=0.1时达到最大值,然后随着R值的增大而减小.
关键词:
APCVD
,
非晶硅薄膜
,
红外光谱
,
紫外-可见光光谱
,
光学带隙
