许业文
,
何忠伟
,
徐政
,
孙丹峰
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.04.014
概述了低压ZnO压敏电阻的重要添加剂的作用,阐述了其电性能"三参数"(压敏电压梯度、非线性系数和漏电流)的影响因素.用低压ZnO压敏电阻的基本配方,以及在此基础上分别添加Co2O3、MnCO3、Co2O3+MnCO3四种配方制备样品作对比实验.发现Co2O3、MnCO3掺杂后都能引起压敏电压梯度升高,非线性系数显著提高,漏电流明显降低,且效果Co2O3+MnCO3大于MnCO3大于Co2O3.对造成上述差别的原因进行了深入分析.
关键词:
钴和锰掺杂
,
低压ZnO压敏电阻
,
压敏电压梯度
,
非线性系数
,
漏电流
许业文
,
范卓维
,
徐政
,
孙丹峰
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.03.013
在最高温度950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下,采用2种配方:98.3%ZnO-0.7%Bi2O3-1.0%TiO2(摩尔分数),相应的无TiO2配方99.3%ZnO-0.7%Bi2O3(摩尔分数),分别制备样品进行对比研究.发现前者在950℃和1050℃的烧结温度下,没有形成明显Bi2O3偏聚的晶界;在1150℃和1250℃下,却形成了清晰的富铋晶界.而后者在950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下均形成了非常明显且清晰可辨的ZnO晶粒和晶界.通过XRD及相对峰强分析,发现了Bi2O3和TiO2在低压ZnO压敏电阻中的相变过程,并对其在烧结过程中的作用提出新的解释.
关键词:
低压氧化锌压敏电阻
,
烧成温度
,
氧化铋
,
二氧化钛
,
晶粒晶界
罗岚
,
徐政
,
许业文
,
刘庆峰
,
刘茜
材料导报
组合材料芯片技术是近几年发展起来的一种快速发现、优化和筛选新型功能材料的方法.要充分发挥其在无机功能材料研究领域的优势,必须解决3个问题:①材料芯片的设计;②材料芯片的高速并行制备;③材料芯片的快速表征.其中材料芯片的制备是整个技术应用的前提,开发适用于高密度材料芯片制备的技术有着非常重大的意义.综述了无机功能材料芯片新的制备方法--物理气相顺序沉积,并简述了相关设备的特点和功能.
关键词:
组合材料芯片技术
,
物理气相顺序沉积
,
掩膜技术
何忠伟
,
许业文
,
徐政
,
孙丹峰
无机材料学报
发现了ZnO压敏陶瓷中的锥状或柱状“突起物”现象.通过能谱发现“突起物”的物质构成是ZnO,而且是ZnO晶粒生长形成的实体,并非气体在ZnO中形成的气泡.进一步论证了这种现象是ZnO极性生长造成的,并从内因和外因两个方面进行了分析.内因是ZnO的极性晶格结构和结晶形态,外因是ZnO压敏陶瓷中Bi2O3液相提供了极性生长得以显现的物化环境,并且通过单独添加Bi2O3的97mol%ZnO+3mol%Bi2O3配方和100mol%纯ZnO配方制备样品进行对比实验,验证了Bi2O3的作用.
关键词:
氧化锌压敏陶瓷
,
protuberance
,
polar growth
,
crystal structure
,
Bi2O3 liquid phase
何忠伟
,
许业文
,
徐政
,
孙丹峰
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.016
发现了ZnO压敏陶瓷中的锥状或柱状"突起物"现象.通过能谱发现"突起物"的物质构成是ZnO,而且是ZnO晶粒生长形成的实体,并非气体在ZnO中形成的气泡.进一步论证了这种现象是ZnO极性生长造成的,并从内因和外因两个方面进行了分析.内因是ZnO的极性晶格结构和结晶形态,外因是ZnO压敏陶瓷中Bi2O3液相提供了极性生长得以显现的物化环境,并且通过单独添加Bi2O3的97mol%ZnO+3mol%Bi2O3配方和100mol%纯ZnO配方制备样品进行对比实验,验证了Bi2O3的作用.
关键词:
氧化锌压敏陶瓷
,
突起物
,
极性生长
,
晶格结构
,
氧化铋液相
