廉冰娴
,
许兵
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2010.04.014
通过实验制备了几种不同厚度的氧化钛薄膜,从膜的形成机理及氧化着色原理,得出薄膜厚度随电压增加而增加,且其增加速率大致在2.5 nm/V.重点剖析了氧化钛薄膜的氧化着色原理,并通过实验模拟分析了氧化膜形成机理,为后续研究提供了参考.
关键词:
阳极氧化
,
氧化薄膜
,
厚度
,
原理剖析
,
模拟
邱望标
,
许兵
,
杨绿
,
廉冰娴
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2008.09.004
在玻璃表面上通过磁控溅射金属钛薄膜,再运用阳极氧化使钛薄膜氧化生成纳米氧化钛,经过8 h,180℃的退火处理使其晶化.运用扫描电镜观察了晶化处理前后薄膜的表面形貌,用电子探针对薄膜进行了表征.通过X-射线衍射图谱表明,晶化处理后薄膜具有典型的晶体结构衍射峰尖锐特征,为锐钛矿纳米晶氧化钛薄膜;电子探针成分分析与X-射线衍射结果一致.最后讨论了其应用前景.
关键词:
磁控溅射
,
阳极氧化
,
晶化
,
表征
许兵
,
谢芳森
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.01.007
研究了存在非线性Kerr介质时耦合双原子与单模压缩真空场相互作用系统的Pancharatnam相位特性.选取合适的初始条件并运用旋波近似,通过解薛定谔方程求出Pancharatnam相位的表示形式,并对此相位进行数值分析.结果表明:耦合双原子处于任意初态,随着原子与光场相互作用强度、两个二能级原子偶极-偶极耦合强度和非线性Kerr介质非线性的增大,Pancharatnam相位演化的频率都显著增长.耦合双原子初态同处激发态时,Pancharatnam相位演化有明显的振荡上升(或振荡下降)趋势.耦合双原子初态只有一个处于激发态时,随着Kerr介质非线性作用的增强,Pancharatnam相位演化变混乱.
关键词:
量子光学
,
Pancharatnam相位
,
Tavis-Cummings模型
,
压缩光场
,
Kerr介质
姚继开
,
许兵
,
邵会波
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2005.09.006
采用电化学氧化技术在玻碳电极(GCE)表面制备了稳定的赖氨酸单层膜.利用电化学活性探针Fe(CN) 3-6 结合电化学循环伏安技术,研究了在溶液不同pH值及不同浓度、不同电荷的阳离子的条件下该单层膜对带负电荷活性探针的静电排斥作用.实验结果表明,随着pH值从1.5增大到9.7,赖氨酸单层膜的静电排斥能力不断下降,Ca2+或Al3+的加入也会减弱其静电排斥能力,并且其静电排斥能力随Ca2+加入浓度的增大而减小.表明通过用电化学氧化技术将赖氨酸键合到碳表面,改变碳的表面荷电状态使其对带负电荷物质具有静电排斥作用是可行的.
关键词:
表面改性
,
玻碳
,
赖氨酸单层膜
,
循环伏安
,
静电排斥作用
