陈军
,
辛煜
,
许圣华
,
宁兆元
,
陆新华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.004
使用80%Ar稀释的SiH4,O2,CHF3和CH4作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了SiOx/a-C:F/SiOx多层膜.傅里叶变换红外测试结果表明了多层膜中存在大量的C-F,C=C,Si-O键,同时由于器壁的吸附效应,膜中还存在少量的Si-C和Si-F键,这些键的存在从x射线光电子能谱的深层剖析结果得到了证实.热退火的结果表明了薄膜的红外结构没有发生太大的变化,薄膜的介电常数经过400℃的退火后仅上升了8%.实验结果表明了ECR-CVD制备的SiOx/a-C:F/SiOx多层膜可以成为超大规模集成电路中层间绝缘层的候选材料.
关键词:
多层膜
,
氟化非晶碳膜
,
介电常数
,
ECR-CVD
叶超
,
宁兆元
,
程珊华
,
辛煜
,
许圣华
功能材料
研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的低频(102～106Hz)介电性质.发现a-C:F薄膜的低频介电色散随源气体CHF3/C6H6的比例、微波入射功率而改变.结合薄膜键结构的红外分析,发现薄膜中C=C相对含量的增大是导致低频介电色散增强的原因,而C-F相对含量的增大则使低频介电色散减弱.
关键词:
氟化非晶碳(a-C:F)薄膜
,
介电色散
,
键结构
