许岗
,
李高宏
,
介万奇
,
查刚强
材料导报
利用不同的电极材料和制备方法制备了3种M/HgI2.采用热电子发射模型计算了相应的接触势垒.采用比接触电阻法、电极系数法和欧姆系数法对比了M/HgI2的欧姆接触特性.结果表明,C/HgI2、AuCl3/HgI2和Au/HgI2的接触势垒均约为0.9eV;C/HgI2和AuCl3/HgI2具有良好的欧姆特性,Au/HgI2的欧姆特性相对较差.分析认为,HgI2晶体表面费米能级的钉扎导致了相近的接触势垒.但由于电极制备工艺没有显著影响AuCl3/HgI2和C/HgI2晶体表面质量,因而具有良好的欧姆接触特性.由于溅射Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造成Au/HgI2晶体表面质量下降,因此其欧姆接触特性较差.
关键词:
碘化汞
,
电极
,
接触势垒
,
费米能级
,
钉扎
,
表面质量
,
欧姆特性
许岗
,
介万奇
,
李高宏
,
孙晓燕
稀有金属材料与工程
利用自行设计的垂直两温区晶体生长炉,采用静态升华法生长α-Hgl2晶体.经过23 d的生长,获得了尺寸约为15 mm×12 mm×5mm的a-Hgl2晶体.通过XRD和4155CVIV电学测试仪表征晶体的相关特性,并对利用该晶体制备的探测器进行核辐射探测性能测试.结果表明,生长的α-Hgl2晶体富碘.对晶体适宜的加热可以有效减少富碘现象.晶体的电阻率约为1012Ω.cm.制备的α-HgI2核辐射探测器对未使用准直器的241Am辐射源(59.5keV)在室温下的分辨率为14.6%(8.69keV).
关键词:
碘化汞
,
热处理
,
探测器
许岗
,
介万奇
,
王领航
,
孙晓燕
人工晶体学报
利用Aligent4155型CVIV测试仪分别对Au/HgI2、AuCl3(Au)/HgI2、C(石墨)/HgI2接触的,Ⅰ-Ⅴ特性进行了测定,对比研究了不同电极材料与α-HgI2晶体所形成的接触特性,并利用热电子发射理论对实验结果进行了分析.结果表明,AuCl3和C均能与HgI2形成良好的欧姆接触,其欧姆特性系数分别为1.0291和0.9380,接触电阻分别为3.0×108Ω和1.0×108Ω;而溅射Au与Hg2接触的欧姆特性较差,欧姆系数约为0.8341,接触电阻为3.5×109Ω.这说明AuCl3,在HgI2表面形成了重掺杂,产生显著的隧道电流,从而形成了较理想的欧姆接触.C(石墨)化学性能稳定,电极制备工艺没有影响晶体表面质量,因此C(石墨)/HgI2接触电阻最小,并具有良好的欧姆特性.而溅射Au过程中由于温度升高引起晶体表面HgI2分子的挥发,造成晶体表面质量下降,导致Au/HgI2接触的欧姆特性变差.
关键词:
碘化汞
,
金
,
石墨
,
氯化金
,
电极
,
Ⅰ-Ⅴ特性
,
接触电阻
许岗
,
谷智
,
坚增运
,
惠增哲
,
刘翠霞
,
张改
人工晶体学报
为确定HgI2晶体的最佳生长温度,根据邻位面生长的台阶动力学,推导出HgI2分子在(001)面扩散激活能ESD约为0.33 eV,进而采用物理气相沉积法的基本理论推算了不同升华温度T1下HgI2晶体生长的最低温度Tmin.结果表明,计算结果与实际晶体生长温度基本一致.该结果为HgI2单晶体、多晶薄膜、单晶薄膜沉积工艺的优化提供了依据.
关键词:
碘化汞
,
物理气相沉积
,
最低生长温度
许岗
,
杨觉明
,
陈卫星
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.03.022
尝试一种利用溶胶-凝胶法制备防腐蚀透明疏水性薄膜的新方法(一步工艺),即按照传统溶胶凝胶工艺配制FAS-SiO2混合溶液,再加入已具有胶体特性的TEOS溶液,配制性能稳定的涂覆用溶胶.通过对溶胶进行差热热重分析确定胶体的特性;利用红外光谱仪对薄膜表面结构进行表征;在不同的热处理温度下比较薄膜接触角的大小.当薄膜在300℃热处理,其接触角达到113°,薄膜表面质量良好,附着力达到GB1720-88相应一级;薄膜的防腐蚀能力良好.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
疏水性薄膜
,
一步工艺
,
接触角
,
防腐蚀性能
许岗
,
李高宏
,
介万奇
人工晶体学报
为研究HgI2晶体结构缺陷与光吸收的关系,测试了晶体的UV和中红外透过光谱.结果表明,波长约为580 nm时,存在着本征吸收限;波长大于580 nm时,随波长增加,晶体对光的吸收减小,透过率达到45%以上;在1000～2500 nm范围内,UV光谱存在四个明显的光吸收带,对应的入射光能量分别为0.79±0.01 eV,0.72 eV,0.57±0.01 eV 和0.53 eV.中红外透过曲线随波长增加而增大,透过率为39%～68%.通过M/HgI2的I～t曲线,采用简单能级模型进一步确认了生长的HgI2晶体存在0.79±0.01 eV和0.72 eV两个陷阱能级.分析认为,HgI2晶体层间的相对移动形成的结构缺陷造成1572.5 nm(0.79±0.01 eV)和1729.2 nm(0.72 eV)处的吸收,晶体缺碘造成2117.5 nm(0.57±0.01 eV)处的吸收和汞空位造成2305.8 nm(0.53 eV)的吸收.在中红外波段,晶体结构缺陷造成了显著的晶格吸收.严格控制原料的化学计量比有利于减少HgI2晶体的结构缺陷,提高晶体的光学性能.
关键词:
碘化汞
,
结构缺陷
,
自由载流子吸收
许岗
,
李高宏
,
介万奇
材料导报
采用高纯HgI_2多晶原料,利用改进的静态升华法生长了α-HgI_2晶体.生长15天的晶体生长界面呈小平面,而生长29天的晶体生长界面呈椭圆形,表明α-HgI_2晶体气相生长中存在生长形貌转变的现象.形貌转变的原因可能是自由碘在生长界面富集和不同晶面生长速率差异所致.生长29天的晶体体积约为1.3cm~3,可能达到了该条件下的最大体积.
关键词:
碘化汞
,
气相生长
,
形貌转变
许岗
,
介万奇
,
李高宏
人工晶体学报
利用Agilent4155型CVIV测试仪测定了分别采用溅射Au和涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体的I-V特性.测试表明,Au/HgI2和AuCl3/HgI2的欧姆接触特性值b分别为0.89和1.06,HgI2晶体的电阻率为109 Ω·cm.计算接触电阻Rc的结果表明,Au/HgI2与AuCl3/HgI2接触电阻为1.6×107 Ω和4.3×106 Ω;AuCl3/HgI2更容易产生较低的接触电阻,形成良好的欧姆接触.分析认为AuCl3/HgI2接触中电极本质上是氯金酸分解产生Au单质并形成电极.由于电极制备工艺没有显著影响晶体表面质量,使AuCl3/ HgI2具有良好的欧姆接触特性.溅射Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造成晶体表面质量下降,使Au/HgI2欧姆接触特性较差.
关键词:
碘化汞
,
Au
,
AuCl3
,
接触特性
,
I-V特性
许岗
,
谷智
,
魏淑敏
功能材料与器件学报
为提高HgI2晶体气相定向生长效果,在ITO导电玻璃上从DSMO-HgI2-H2O溶液中过饱和析出HgI2外延衬底,进而在外延衬底上气相沉积HgI2多晶薄膜并制备了相应的探测器.利用SEM、XRD分析了薄膜的定向生长特性；以241 Am为放射源,在室温下测试了探测器的探测效率.
关键词:
碘化汞
,
多晶薄膜
,
同质外延
,
定向生长
,
探测器
