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n型Si侧蚀的电学机理研究

谈嘉慧 , 陈之战 , 张永平 , 何鸿

功能材料与器件学报

本文利用电化学刻蚀的方法在n型Si衬底上制备了不同形貌的多孔硅.扫描电子显微镜观察发现不同刻蚀条件制备的样品呈现腐蚀程度不同但腐蚀方向相同的侧向腐蚀.实验和理论分析表明适当电注入的空穴浓度是形成光滑孔壁的关键,过量注入的空穴在侧壁形成耗尽层,促使体硅少子漂移是侧向腐蚀的主要原因.

关键词: 多孔硅 , 侧蚀分析 , 控制方法