杨维明
,
史辰
,
谢万波
,
吴楠
,
陈建新
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.017
介绍了一种基于电阻率高达1000Ω·cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制.首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影响,然后设计了器件的材料与横向结构尺寸,该器件采用掩埋金属自对准技术在3μm工艺线上制备而成,测得其典型直流电流增益为120,BVCEO为9.0V,fT为10.2GHz,fmax为5.3GHz,比同结构尺寸的常规N+衬底Si/SiGe HBT的fT和fmax分别高出3.9GHz和1.5GHz.
关键词:
锗硅合金
,
异质结晶体管
,
高阻衬底
