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谢尚晻 , 何欢 , 符跃春
材料导报
脉冲激光沉积法(PLD)以其低温成膜优势被公认为是宽禁带半导体AIN薄膜的优选制备方法.获得高质量的AIN薄膜需要最佳的薄膜/衬底匹配和工艺参数.综述了各种常见异质外延衬底与AlN薄膜的取向关系,分析了影响薄膜质量的工艺因素,介绍了薄膜在电、光、热方面的性能研究现状,并指出了今后工作的方向.
关键词: 脉冲激光沉积 , AlN薄膜 , 衬底 , 工艺参数 , 性能
