周伟峰
,
薛建设
,
明星
,
刘翔
,
郭建
,
谢振宇
,
赵承潭
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112601.0019
将具有低介电常数的丙烯酸酯树脂作为薄膜晶体管液晶显示器的钝化层整合到阵列基板中.与传统的SiN<,x>薄膜(ε≈7)相比,丙烯酸酯树脂钝化层具有平坦的表面,其低介电常数(ε≈4.5)可以降低器件的RC延迟,这都将有利于提高薄膜晶体管液晶显示器的开口率,从而提高显示器的亮度,降低能耗和制作...
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
低介电常数
,
丙烯酸酯树脂
,
钝化层
李田生
,
谢振宇
,
张文余
,
阎长江
,
徐少颖
,
陈旭
,
闵泰烨
,
苏顺康
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122704.0493
为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,研究了通过改变钝化层(PVX)的沉积工艺来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔 (VIA)尺寸的方案,通过设计实验考察了影响过孔大小的钝化层的主要影响因素(黑点、倒角、顶层钝化层沉...
关键词:
钝化层
,
刻蚀
,
过孔
田宗民
,
陈旭
,
谢振宇
,
张金中
,
张文余
,
崔子巍
,
郭建
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132806.0849
对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化,设定4个实验条件,考察了不同条件下膜层的均匀性,TFT产品的开路电流(I.n)的整体分布规律以及均匀性,Ion的提升比例以及产品的阈值电压,确定条件二为最优条件.对比优化前后产品的栅极偏应力下TFT的转移曲线和高频信号下电容-电压曲线...
关键词:
栅极绝缘层
,
有源层
,
沉积条件优化
,
电学特性
,
改善
李田生
,
谢振宇
,
李婧
,
阎长江
,
徐少颖
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132805.0720
TFT-LCD产品为现代显示的主流,如何提高其显示品质成为大家普遍关注的问题,尤其近期发现的过孔发黑(黑点)问题尤为突出,严重影响了产品的良率,降低了产品的品质,文章通过研究发现产生黑点不良的罪魁祸首不是过孔刻蚀的问题,而是有源层刻蚀工艺所导致的,并有针对性地进行了试验设计,分别考察了有源层刻蚀条件...
关键词:
有源层
,
刻蚀
,
黑点
刘桂君
,
胡文成
,
朱琳
,
谢振宇
材料导报
介绍了国内外近几年钛酸锶钡(Strontium Barium Titanate,BST)在掺杂改性方面的研究现状及各种掺杂对BST介电性能的影响,重点讨论了不等价掺杂及掺杂量对漏电流和介电损耗的影响,论述了材料组成、显微结构与介电性能之间的关系.最后提出了关于掺杂改性方面存在的问题.
关键词:
钛酸锶钡
,
掺杂
,
介电性能
,
漏电流
谢振宇
,
龙春平
,
邓朝勇
,
胡文成
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.01.006
采用等离子增强型化学气相沉积法(RF-PECVD),源气体为NH3/SiH4/N2的混合气体,在330 ℃的温度下沉积a-SiNx:H薄膜.研究表明在反应气体流量一定的情况下,反应腔气压对薄膜沉积速率影响最大.采用Fourier红外吸收光谱技术分析a-SiNx:H薄膜中化学键结构,随着沉积速率的提高...
关键词:
氢化非晶氮化硅
,
沉积速率
,
禁带宽度
,
介电常数
,
反射系数
刘翔
,
陈旭
,
谢振宇
,
高浩然
,
王威
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.04.013
金属电阻是影响大尺寸TFT-LCD信号延迟的关键因素.研究了利用低电阻率金属Al制作大尺寸TFT阵列信号线的生产工艺,发现在完成有源半导体层刻蚀后残留的少量Cl2会在后续工艺中对金属Al造成腐蚀,严重地影响了产品的性能.通过优化刻蚀工艺,采用活性更高的SF6去除刻蚀有源半导体层时残留的少量Cl2,避...
关键词:
薄膜晶体管
,
铝
,
腐蚀
,
刻蚀
曲连杰
,
陈旭
,
郭建
,
闵泰烨
,
谢振宇
,
张文余
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122704.0466
研究了氮化硅材料在触摸屏领域中的应用,利用等离子体化学气相沉积技术,在一定厚度的玻璃表面沉积不同厚度的氮化硅薄膜.通过理论分析和试验测试的方法得到了氮化硅膜层厚度和折射率对触摸屏透过率以及表面宏观颜色的影响.分析结果表明,氮化硅膜层折射率对触摸屏的平均透过率影响明显,而膜层厚度对触摸屏的平均透过率影...
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
触摸屏
,
透过率
,
氮化硅
李婧
,
张金中
,
谢振宇
,
阎长江
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132804.0547
利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx∶H和a-Si∶H薄膜.通过电学、光学、力学测试研究了SiNx∶H薄膜沉积条件对其界面性能的影响.研究结果表明,过度的富硅化将显著增大体系的界面态,严重影响器件的TFT特性.当SiH4和NH3气体流量比值为7∶15时,开关比(Ion/Ioff)可达3.24×1...
关键词:
SiNx∶H界面态
,
Si/N
,
开关比
,
TFT特性
李田生
,
陈旭
,
谢振宇
,
徐少颖
,
闵泰烨
,
张学智
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142905.0674
为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,之前做过钝化层沉积工艺优化来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔尺寸的研究.本文在此基础上进行过孔刻蚀工艺的优化,从而最终达到进一步减小过孔尺寸实现TFT-LCD小型化与窄边框化的...
关键词:
钝化层
,
刻蚀
,
过孔
