耿超
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李孝远
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林熠
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罗春华
,
谢文刚
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邓玉良
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李达
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.33.03.358
针对0.13μm CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)体硅外延工艺下FPGA(Field Programmable Gate Arrays)配置片反熔丝PROM(Programmable-Read-Only-Memory)进行了单粒子效应(Single Event Effects SEEs)的加速器地面模拟试验研究。以PROM的存储容量、数据类型和工艺差异性为研究变量，考核与验证其在不同种类和能量粒子入射的系列性加速器地面SEEs模拟试验。研究结果表明，相对于8 Mbits PROM而言，空片16 Mbits PROM抗辐射性能最优，且从翻转饱和截面上说，16 Mbits的PROM具备更高的可靠性，优于国外同系列的芯片类型，试验用PROM芯片的单粒子锁定阈值>99.0 MeV·cm2/mg。另一方面，研究0.13μm CMOS普通与深阱工艺技术下PROM芯片单粒子翻转效应异同性的实验数据表明，在高LET(Linear Energy Transfer)处的两者抗辐射性能并无明显变化，但是低LET处(LET翻转阈值)的加固效果较为明显，即抗辐射技术能力主要体现在LET翻转阈值的提升而非翻转截面的减小。
关键词:
重离子
,
反熔丝PROM
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单粒子锁定
,
单粒子翻转
