王擎雷
,
吴惠桢
,
斯剑霄
,
徐天宁
,
夏明龙
,
谢正生
,
劳燕锋
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01108
采用分子束外延的方法在BaF2衬底(111)上制备出了高质量的Pb1-xSrxSe (0≤ x≤0.050)薄膜. X射线衍射结果表明, Pb1-xSrxSe 薄膜为立方相NaCl型晶体结构, 没有观察到SrSe相分离现象, 薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面. 薄膜晶格常数随Sr含量的增加逐渐增大, Sr含量由Vegard公式得到. 再用理论模拟Pb1-xSrxSe 薄膜透射光谱的方法得到了相应的带隙. 最后通过介电函数模型拟合得到了PbSe和Pb1-xSrxSe 薄膜在光子能量位于基本带隙附近的折射率n和吸收系数α.
关键词:
Pb1-xSrxSe 外延薄膜
,
transmission spectrum
,
refractive index
,
absorption coefficient
王擎雷
,
吴惠桢
,
斯剑霄
,
徐天宁
,
夏明龙
,
谢正生
,
劳燕锋
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.06.018
采用分子束外延的方法在BaF2衬底(111)上制备出了高质量的Pb1-xSrxSe(0≤x≤0.050)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb1-xSrxSe薄膜为立方相NaCl型晶体结构,没有观察到SrSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.薄膜晶格常数随Sr含量的增加逐渐增大,Sr含量由Vegard公式得到.再用理论模拟Pb1-xSrxSe薄膜透射光谱的方法得到了相应的带隙.最后通过介电函数模型拟合得到了PbSe和Pb1-xSrxSe薄膜在光子能量位于基本带隙附近的折射率n和吸收系数α.
关键词:
Pb1-xSrxSe外延薄膜
,
透射光谱
,
折射率
,
吸收系数
谢正生
,
吴惠桢
,
劳燕锋
,
刘成
,
曹萌
稀有金属材料与工程
采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征.结果表明,采用5 s间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs DBR的质量优于30对,说明DBR对数越多,周期厚度波动越大,材料质量越差.优化生长得到的30对GaAs/AlAs DBR的反射率大于99%,中心波长为1316 nm,与理论设计结构的模拟结果基本一致,可用作1.3 μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)直接键合的反射腔镜.
关键词:
分布布拉格反射镜
,
气态源分子束外延
,
X射线衍射
,
反射谱
刘成
,
曹春芳
,
劳燕锋
,
曹萌
,
谢正生
,
吴惠桢
功能材料
研究了H+离子注入对InP材料和1.3μm面发射激光器结构的电学、光学性能的影响.当离子注入后InP表面电学特性退化,在300℃以上退火后,材料表面回复较好,H+离子注入区电阻率约为InP体材料的104倍.接着,将离子注入工艺应用于1.3μm面发射激光器结构电流限制孔径的制作,通过比较电学特性得出450℃的最佳退火温度,并发现高温退火后电致发光强度增强.
关键词:
垂直腔面发射激光器
,
离子注入
,
退火
谢正生
,
吴惠桢
,
劳燕锋
,
刘成
,
曹萌
金属学报
本文研究了Au-In-Au低温金属键合技术，并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器（VCSEL）器件结构的制作中。利用该低温金属键合技术不仅有利于提升器件的热学性能，而且有利于提高VCSEL结构中分布布拉格反射腔镜（DBR）的反射率。实验结果表明，InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200 ℃金属键合到Si衬底上，键合强度高，键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求。对键合样品光学特性的分析表明，低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质，这对VCSEL器件结构的制作是有利的。这种低温金属键合技术，有望应用在许多半导体光电器件的制作中。
关键词:
低温金属键合
,
vertical cavity surface emitting laser
,
null
谢正生
,
吴惠桢
,
劳燕锋
,
刘成
,
曹萌
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.03.008
研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中.利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜(DBR)的反射率.实验结果表明,InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200℃低温下金属键合到Si衬底上,键合强度高,键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求.对键合样品光学特性的分析表明,低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质,这对VCSEL器件结构的制作是有利的.这种低温金属键合技术,有望应用在许多半导体光电器件的制作中.
关键词:
低温金属键合
,
垂直腔面发射激光器
,
反射谱
,
光致荧光谱
