材料期刊网

硅太阳能电池铝背场P+层的模拟优化

单文光 , 谢正芳 , 吴小山 , 张凤鸣

人工晶体学报

针对P型衬底硅太阳电池,以生产线上的实验结果为依据,通过数值计算,模拟了铝背场P+层掺杂浓度分布及其深度对太阳能电池电性能的影响.分析了铝背场P+层在不同掺杂浓度和深度下电性能的变化特征.结果表明对于生产线上的电池,P+层深度为5～7 μm的电池片,最佳掺杂浓度为7×1018 ～9 ×1018 cm-3,当掺杂浓度大于5×1019 cm-3,P+层最佳深度将小于1μm.

关键词: 硅太阳能电池 , 铝背场 , 性能模拟 , PC1D