高攀
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张万荣
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邱建军
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杨经纬
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金冬月
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谢红云
,
张静
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张正元
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刘道广
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王健安
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徐学良
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.017
从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响.结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声的改善效果比较显著.发射极与基极间距从1μm减小到0.5μm,2GHz工作频率下最小噪声系数可减小9dB,在0.5GHz工作频率下最小噪声系数可降至1.5dB,2GHz工作频率下最小噪声系数为3dB.
关键词:
HBT
,
SiGe
,
横向尺寸
,
高频噪声
金冬月
,
张万荣
,
谢红云
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沈珮
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胡宁
,
甘军宁
,
李佳
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.017
提出非均匀指间距结构功率SiGe HBTs的版图设计用以改善热稳定性.模拟和实验结果均表明,与传统的均匀指间距结构相比,非均匀指间距结构HBT的峰值结温和温度分布非均匀性均得到显著改善.上述改善归功于非均匀指间距结构HBT中心指间距的增加,从而有效阻止热流由外侧指流向中心指处.此外,与均匀指间距结构器件相比,其热阻改善13.71%,热退化功率水平提高22.8%.因此,模拟和实验均证明采用非均匀指间距结构HBT的版图设计可有效改善功率HBTs热稳定性.
关键词:
SiGe
,
HBT
,
热稳定性
沈珮
,
张万荣
,
谢红云
,
金冬月
,
李佳
,
甘军宁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.003
本文对多发射极条(指)微波功率GeSi HBT进行了设计、制造和测试,并就测试结果对电流处理能力进行了研究.实验结果表明,对20～80指的GeSi HBT,发射极单位长度的电流密度I0在1.67～1.06A/cm之间变化.随发射极条数的增加,I0逐渐减少,分析认为这是由发射极条之间的热耦合引起有源区的温度非均匀分布而导致的.并且通过测试所得到的I0值,证明多指GeSi HBT可通过选择合适的发射极条数、条长和发射区面积获得更高的电流处理能力.
关键词:
锗硅异质结双极晶体管
,
热耦合效应
,
电流处理能力
