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温度对SiO2光子晶体模板中生长InP的影响

常伟 , 范广涵 , 谭春华 , 李述体 , 雷勇 , 黄琨 , 郑品棋 , 陈宇彬

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.06.025

制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体.实验研究了不同成核温度(300℃,350℃,400℃)对于生长填充InP的影响.扫描电镜和反射谱分析结果显示,温度对于InP在SiO2光子晶体模板中的生长有重要影响.随着成核温度的升高,InP在SiO2光子晶体模板中的填充率随之降低.

关键词: 光电子学 , 有机金属化学气相沉积 , 光子晶体 , 人工欧泊 , 温度

扫描电镜用于人工蛋白石模板中填充InP的形貌研究

谭春华 , 范广涵 , 许静 , 李述体 , 周天明 , 龙永福 , 孙慧卿

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.014

扫描电子显微镜是对人工欧泊光子晶体进行形貌观察、研究的重要手段.本文利用扫描电子显微镜对人工欧泊晶体及其填充InP后的形貌进行了分析.结果发现,二氧化硅微球短程有序而在较大的区域则出现台阶、空位和失配等缺陷;在选定生长条件下,InP在SiO2球空隙间具有较高的填充率和较好的结晶质量.此项研究为制备三维InP光子晶体提供了科学依据.

关键词: 人工欧泊 , 光子晶体 , 有机金属化学气相沉积 , 扫描电子显微镜

Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性

谭春华 , 范广涵 , 李述体 , 周天明 , 黄琨 , 雷勇

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.03.025

低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个数量级.

关键词: 光电子学 , X射线双晶衍射 , 金属有机化学气相沉积 , 量子阱 , 光荧光

填充液晶的光子晶体的光控可调光子带隙

谭春华 , 黄旭光 , 殷建玲

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.04.001

可调光子晶体由于其潜在的应用价值成为现今光子晶体研究中的一个热点.文章首次提出了通过光诱导液晶取向技术来调制光子晶体光子禁带的方法,进而采用平面波展开法分析了填充液晶的二维三角形光子晶体禁带结构的可调节性.数值模拟结果表明:通过偏振光控制空气孔中所填充的相列液晶的方向可以对光子晶体的禁带结构进行调节.与电场调制方法相比,该光控液晶取向技术具有响应速度快、结构简单的优点.这种可调光子晶体可用于制作场敏偏光片、全光光开关和可调光衰减器.

关键词: 液晶 , 光子晶体 , 平面波展开法 , 光子禁带

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