罗子江
,
周勋
,
贺业全
,
何浩
,
郭祥
,
张毕禅
,
邓朝勇
,
丁召
功能材料
利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs（001）基片上外延生长了不同In组分（39%、29%、19%）的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像,发现随着In组分的增加In-GaAs的生长将很快进入三维粗糙表面生长模式,并指出In0.19Ga0.81As和In0.29Ga0.71As薄膜处于（2×3）表面重构相。In0.19Ga0.81As样品进行退火处理后完成STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的In-GaAs薄膜。
关键词:
MBE
,
RHEED
,
STM
,
InGaAs薄膜
罗子江
,
周勋
,
杨再荣
,
贺业全
,
何浩
,
邓朝勇
,
丁召
功能材料
利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法.根据RHEED图像,指出获得的InGaAs薄膜处于(2×3)表面重构相.样品经过淬火至室温后对样品做STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的InGaAs/GaAs异质薄膜.
关键词:
MBE
,
RHEED
,
STM
,
InGaAs异质薄膜
罗子江
,
周勋
,
杨再荣
,
贺业全
,
何浩
,
邓朝勇
,
丁召
功能材料
采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制.报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs.通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品.完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs.利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体.
关键词:
MBE
,
RHEED图像
,
粗糙化
,
EDS
,
GaAs表面重构
