钱聪
,
张恩霞
,
贺威
,
张正选
,
张峰
,
林成鲁
,
王英民
,
王小荷
,
赵桂茹
,
恩云飞
,
罗宏伟
,
师谦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.012
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应.实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作.研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置.通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α.
关键词:
绝缘体上硅(SOI)
,
总剂量辐照效应
,
环栅结构
,
H型栅结构
俞文杰
,
张正选
,
张恩霞
,
钱聪
,
贺威
,
田浩
,
陈明
,
王茹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.008
通过实验研究了部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐射效应与辐射时的偏置状态的关系,实验结果表明TG(Transition Gate)是最恶劣的偏置状态.随后分别用MEDICI模拟软件和数值模型模拟掩埋氧化层中的电场强度与空穴俘获率.模拟结果合理地解释了实验结果,掩埋氧化层中的高电场和高空穴俘获率是TG为最恶劣偏置状态的主要原因.
关键词:
SOI
,
总剂量辐射
,
背沟道
,
掩埋氧化层
贺威
,
张恩霞
,
钱聪
,
张正选
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.013
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS/SOI反相器,并对其进行60Co γ射线总剂量辐照试验.结果表明,受到同样总剂量辐射后,改性材料制作的反相器与标准SIMOX材料制作的反相器相比,转换电压漂移小的多,亚阈漏电也得到明显改善,具有较高的抗总剂量辐射水平.
关键词:
离子注入
,
注氧隔离
,
绝缘体上硅(SOI)
,
总剂量辐射效应
贺威
,
张正选
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.020
SOI(绝缘体上硅)器件在总剂量辐照下的主要性能退化是由于SOI器件的背栅阈值电压漂移引起的背沟道漏电.本文首先采用二维有限元方法,对辐射在SOI器件的埋氧层中的感生氧化物电荷进行模拟,然后分析此氧化物电荷对器件的外部电学特性的影响,建立了器件在最劣偏置下辐射引起的背栅MOSFET的阈值电压漂移模型,提取背栅MOSFET受辐射影响参数,以用于在SOI电路设计中准确的评估辐射对SOI电路的影响.模拟数据和试验数据具有很好的一致性.
关键词:
埋氧层
,
绝缘体上硅
,
总剂量辐射效应
,
模型
,
背栅
田浩
,
张正选
,
张恩霞
,
贺威
,
俞文杰
,
王茹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.016
利用标准SIMOX材料制作了部分耗尽环型栅NMOS晶体管,并在ON偏置条件下分别对其进行了10keV X射线及60Coγ射线总剂量辐照实验.实验结果表明,在两种辐射条件下NMOS晶体管的背栅阈值电压漂移量都会随着辐照剂量的升高而趋于饱和.实验分析并研究了这种现象的机理,并发现在较低的辐照剂量下60Coγ射线造成的背栅阈值电压漂移量较大,但在高剂量条件下 X射线造成的漂移量将超过60Coγ射线.
关键词:
注氧隔离
,
绝缘体上硅(SOI)
,
总剂量辐射效应
,
MOS晶体管
邓红卫
,
贺威
,
周科平
中国有色金属学报
为评估尾砂矿生态风险，保护生态环境，实现可持续发展，研究某铅锌尾矿库中Pb、Zn、Cu、As 4种重金属的垂向分布并对其污染程度和潜在生态危害进行评价。除使用地累积指数法和生态风险指数法，结合地累积指数法和内梅罗综合指数法来评价多种重金属综合污染情况。结果表明：重金属在垂向上的分布不尽相同，复垦土层重金属含量较下层小但仍超过土壤背景值；土层与尾砂交界处，重金属出现富集现象，污染程度最大；尾砂层和深部区为中度或强污染。4种重金属元素Cu的污染最轻，Pb、Zn、As的在中度污染或强污染以上，对总的生态风险指数贡献率由大到小依次为 As、Pb、Zn、Cu。单纯覆土对减少尾矿库重金属危害效果不明显，应联合其他有效措施进行修复。
关键词:
尾矿库
,
复垦
,
重金属污染
,
生态风险评价
