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用XRD、SEM、ESR结合常规电性能测试手段,研究了锰掺杂对两类大功率PZT材料微结构及压电性能的影响.结果表明:随着锰含量的增大,三角晶相含量增多,准同型相界相应向四方相移动.锰在PZT材料中主要以Mn2+和Mn3+的方式共存.锰在PZT陶瓷材料中"溶解度"约为1,5mol%.添加少量的锰有利于...

关键词: 锰掺杂 , 大功率PZT , 压电性能

锰掺杂对硬性PZT材料压电性能的影响

贺连星 , 李承恩

无机材料学报

研究了锰掺杂对ＰＺＴ材料微结构及压电性能的影响，并用ＥＳＲ确定了锰在ＰＺＴ材料中的价态．结果表明，锰在ＰＺＴ材料中主要以Ｍｎ^２＋和Ｍｎ^３＋的方式共存．锰在ＰＺＴ陶瓷材料中的“溶解度”约为１．５ｍｏｌ％．锰含量＜０．５ｍｏｌ％时，Ｍｎ将以Ｍｎ^２...

关键词: 锰掺杂 , PZT , piezoelectric properties

PZT陶瓷中由氧空位与畴壁相互作用引起的内耗

贺连星 , 李承恩 , 陈廷国 , 王志勇 , 晏海学

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.004

采用低频倒置扭摆内耗仪对组分为Pb(Zr0.7Ti0.3)O3(PZT73)和Pb(Zr0.3Ti0.7)O3(PZT37)的两种陶瓷的内耗Q－1及振动频率的平方f2（正比于材料的剪切模量G）与温度的关系进行了测定。在纯三角相的PZT73陶瓷中发现两个内耗峰。高温内耗峰PM起源于材料的顺电－铁电相变...

关键词: 内耗 , PZT陶瓷 , 氧空位 , 畴壁

铁电陶瓷材料性能退化机理

贺连星 , 李承恩

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2000.04.012

对铁电陶瓷材料老化、疲劳及电阻率退化的物理机制进行了综合评述.着重讨论了氧空位与畴界、晶界以及陶瓷材料和电极的界面的相互作用对铁电陶瓷材料性能退化的影响.

关键词: 铁电材料 , 老化 , 疲劳 , 电阻率退化 , 氧空位

偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究

贺连星 , 李承恩 , 陈廷国 , 刘卫 , 朱震刚 , 水嘉鹏

无机材料学报

用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅铁电陶瓷的内耗进行了研究．在新加工的样品中发现了六个内耗峰，分别位于７０℃（Ｐ_１峰）、９０℃（Ｐ_２峰）、２００℃（Ｐ_３峰）、２６０℃（Ｐ_４峰）、４３０℃（Ｐ_５峰...

关键词: 内耗 , lead metaniobate ceramics , domain walls , oxygen vacancy

锰掺杂对硬性 PZT材料压电性能的影响

贺连星 , 李承恩

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.02.016

研究了锰掺杂对PZT材料微结构及压电性能的影响, 并用ESR确定了锰在PZT材料中的价态. 结果表明，锰在PZT材料中主要以Mn2+和Mn3+的方式共存. 锰在PZT陶瓷材料中的“溶解度”约为1.5mol%. 锰含量<0.5mol%时, Mn将以Mn2+和Mn3+的方式优先进入晶格Pb位, 使...

关键词: 锰掺杂 , PZT , 压电性能

偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究

贺连星 , 李承恩 , 陈廷国 , 刘卫 , 朱震刚 , 水嘉鹏

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.05.010

用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅?铁电陶瓷的内耗进行了研究. 在新加工的样品中发现了六个内耗峰，分别位于70C(P1峰)、90C(P2峰)、200C(P3峰)、260C(P4峰)、430C(P5峰)和510C(P6峰)处. 对引起P3、P1、P2和P4峰的物理机制进行了详细探讨. 分析结果表明，P3峰的...

关键词: 内耗 , 偏铌酸铅陶瓷 , 畴壁 , 氧空位