张守超
,
阮永丰
,
王友发
,
吴周礼
,
王帅
,
贾国治
中国稀土学报
采用中频感应提拉法生长了高质量的掺铈钒酸钇( Ce:YVO4)晶体,其中Ce3+离子的浓度为1.0％(原子分数).对于加工好的晶体薄片分别在中性气氛Ar和还原性气氛H2中不同温度下进行了退火处理.对退火后的样品进行了吸收光谱和荧光光谱的测量.中性Ar中退火对晶体发光效率提高没有作用,H2退火后晶体吸收谱发生显著变化,晶体的发光效率大幅提高.发射光谱中400 -600 nm的发射带包含两个发射峰,其中心波长分别在424和469 nm处.并对掺铈钒酸钇晶体作为白光材料的可能性进行了分析.
关键词:
Ce: YVO4
,
退火
,
荧光光谱
,
白光
,
发光效率
,
稀土
贾国治
,
姚江宏
,
刘国梁
,
柏天国
,
刘如彬
,
邢晓东
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.01.021
通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应变量子阱激光器的转变温度要高;张应变量子阱激光器与压应变量子阱激光器相比,阈值电流更低,特征温度更高.
关键词:
光电子学
,
俄歇复合
,
应变量子阱
,
阈值电流密度
,
特征温度
张守超
,
阮永丰
,
贾国治
,
冯志辉
,
刘枝朋
,
裴利斌
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140060
利用提拉法生长了YVO4和掺2.0at％ CeO2(或Ce2(CO3)3)的YVO4∶ Ce3+晶体.样品的XRD测试表明Ce3+代替Y3+进入晶格,Ce3+的加入并没有影响YVO4的晶格结构.XPS测试显示YVO4∶Ce3+晶体中Ce离子3d分裂为882.0、885.8、902.9、908.0和915.9 eV等5个峰,峰位表明样品中铈离子是以Ce3+和Ce4+两种价态形式存在.YVO4和YVO4∶ Ce3+激发谱都呈现出260～360nm宽带激发,此激发带源于基质中VO43-离子团的配体O到V的电荷迁移吸收.使用325nm的紫外线激发时,两种样品均可发出以440 nm为中心的宽带蓝光,其中YVO4发射峰应归属于VO43-离子团中3T2→1A1和3T1→1A1跃迁;而YVO4∶ Ce3+的蓝光发射则来源于Ce3+的5d→4f的跃迁.分析可知YVO4∶ Ce3+中VO43-的π轨道和Ce3+的电子波函数能有效地重叠,使得VO43-和Ce3+可通过交换作用有效地向Ce3+传递能量,可大幅提高Ce3+的蓝光发射强度.实验结果显示YVO4∶ Ce3+可作为UV-LED管芯激发的白光发光二极管用高亮度蓝色发光材料.
关键词:
YVO4∶Ce3+
,
蓝光发射
,
紫外激发
,
能量传递
,
白光LED
