张有为
,
万里
,
程新红
,
王中健
,
夏超
,
曹铎
,
贾婷婷
,
俞跃辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11663
采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜, 研究了Al2O3成核机理. 原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明, 沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况, 物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3成核的关键, 物理吸附水分子的均匀性直接影响Al2O3薄膜的均匀性. 在适当的温度窗口(100~130℃), Al2O3可以均匀沉积在石墨烯上, AFM测得Al2O3薄膜表面均方根粗糙度(RMS)为0.26 nm, X射线光电子能谱(XPS)表面分析与元素深度剖析表明, 120℃下在石墨烯表面沉积的Al2O3薄膜中O和Al元素的含量比约为1.5. 拉曼光谱分析表明, 采用H2O-based ALD工艺沉积栅介质薄膜不会降低石墨烯晶体质量.
关键词:
石墨烯; 原子层沉积; Al2O3薄膜
滕浩
,
李宇焜
,
林辉
,
李文杰
,
侯肖瑞
,
贾婷婷
,
易庆
,
周圣明
人工晶体学报
采用固相反应真空烧结法首次制备出Nd3+和Ce3+的掺杂浓度分别为1.0 at%和0.3 at%,Nd、Ce共掺YAG透明陶瓷,并对样品的相结构、显微结构、光学透过率和光谱性能进行了表征.结果表明,Nd3+和Ce3+都进入了YAG 晶格,样品的平均晶粒尺寸约为5 μm,1.5 mm样品的光学透过率除吸收带外基本都在75 at%以上.采用 467 nm 的激发源对样品Ce3+的5d能级进行激发,Ce3+通过对Nd3+的能量转移,实现了Nd3+的近红外发射,主荧光发射峰位于在1064 nm处,荧光寿命为256 μs.
关键词:
透明陶瓷
,
Nd,Ce:YAG
,
固相反应
,
真空烧结
,
光谱性能
张有为
,
万里
,
程新红
,
王中健
,
夏超
,
曹铎
,
贾婷婷
,
俞跃辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11663
采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3成核的关键,物理吸附水分子的均匀性直接影响Al2O3薄膜的均匀性.在适当的温度窗口(100～130℃),Al2O3可以均匀沉积在石墨烯上,AFM测得Al2O3薄膜表面均方根粗糙度(RMS)为0.26 nm,X射线光电子能谱(XPS)表面分析与元素深度剖析表明,120℃下在石墨烯表面沉积的Al2O3薄膜中O和Al元素的含量比约为1.5.拉曼光谱分析表明,采用H2O-based ALD工艺沉积栅介质薄膜不会降低石墨烯晶体质量.
关键词:
石墨烯
,
原子层沉积
,
Al2O3薄膜
贾婷婷
,
林辉
,
滕浩
,
侯肖瑞
,
王军
,
周圣明
人工晶体学报
氮化镓基(GaN)光电器件的快速发展,对GaN的质量提出更高的要求,同质外延可以避免由于失配引起的缺陷,厚膜生长是解决GaN体材料生长困难的有效手段.氢化物气相外延(HVPE)是目前最普遍的制备氮化镓厚膜的方法.衬底对于GaN厚膜的影响不可忽视,本文总结了在蓝宝石、碳化硅和铝酸锂衬底上制备GaN厚膜的研究进展,讨论了今后的研究方向.
关键词:
氮化镓
,
HVPE
,
蓝宝石
,
碳化硅
,
铝酸锂
滕浩
,
周圣明
,
林辉
,
贾婷婷
,
侯肖瑞
,
王军
人工晶体学报
采用提拉法分别生长了掺杂Mn、Fe以及Co元素的LiAlO2晶体,并对其结晶质量和光谱特性进行了研究.结果表明,LiAlO2:Mn、LiAlO2:Fe和LiAlO2:Co晶体的X射线双晶摇摆曲线半高宽分别为23.2 arcsec、12.9 arcsec和23.8 arcsec.LiAlO2:Mn与LiAlO2:Fe晶体在可见至近红外波段具有较高的透过率,而LiAlO2:Co晶体在500～700 nm波段存在吸收带;光致激发与发射光谱表明Mn2+在LiAlO2:Mn晶体中处于四面体晶体场内,而Fe3+替代Li+处于八面体格位;X射线激发发射光谱分析得出空气退火后γ-LiAlO2晶体出现了较强的缺陷发光,可归结为Li2O挥发后形成的F+心,而在同样退火条件下掺杂LiAlO2晶体中相应的缺陷发光不明显,说明Li2O的挥发被抑制,晶体的热稳定性得到了改善.
关键词:
衬底
,
LiAlO2晶体
,
掺杂离子
,
提拉法
,
光谱
李佳
,
苗鸿雁
,
谈国强
,
梁云鹤
,
贾婷婷
功能材料
采用无机盐-螯合-溶胶凝胶法成功制备了BiFeO3薄膜.研究了不同基片、热处理工艺对薄膜相结构的影响.通过DTA-TG与FT IR对溶胶前躯体进行表征,分析了BiFeO3溶胶与薄膜过程机理并确定了铁电相转变温度为856℃.通过XRD、SEM分析了薄膜的晶相及表面形貌.结果表明,薄膜呈随机取向,氮气环境中退火可提高薄膜结晶度.600℃退火下薄膜厚度平均是400nm左右.VSM表明随着退火温度的增加,BiFeO3薄膜的磁化率增大.
关键词:
铁酸铋
,
溶胶凝胶法
,
铁电薄膜
贾婷婷
,
坚增运
,
许军锋
,
朱满
,
常芳娥
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2015.00501
通过熔融-淬冷的方法制备Ge30Se70硫系玻璃块状试样, 利用XRD判定所制试样的非晶态程度, 采用DSC热分析方法测定该试样的玻璃化转变温度Tg和起始析晶温度Tx, 通过VFT方程拟合法确定试样的动力学理想玻璃化转变温度T0, 采取分段加热法分析Ge30Se70 玻璃试样和同成分晶体试样在设定温度范围内的比热容. 通过计算出的比热容拟合出Ge30Se70玻璃和晶体的比热容方程, 即cp,l=0.0002T+0.3337和cp,c=0.00006T+0.4594. Ge30Se70试样的Tg和T0分别为590和581 K, 且Tg随着升温速率R的增大而增加. 在低于玻璃转化温度前时, Ge30Se70玻璃试样的平均比热容约为11.8 J/(molK), 红外透过率约为60%, 红外性能良好. 获得Ge30Se70玻璃的约化转变温度Trg介于0.5~0.667之间, 形核率极低, 表明Ge30Se70玻璃的成玻能力良好.
关键词:
硫系玻璃
,
分段加热法
,
玻璃转变温度
,
比热容
贾婷婷
,
坚增运
,
许军锋
,
朱满
,
常芳娥
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2015.00501
通过熔融-淬冷的方法制备Ge30Se70硫系玻璃块状试样,利用XRD判定所制试样的非晶态程度,采用DSC热分析方法测定该试样的玻璃化转变温度Ts和起始析晶温度Ts,通过VFT方程拟合法确定试样的动力学理想玻璃化转变温度T0,采取分段加热法分析Ge30Se70玻璃试样和同成分晶体试样在设定温度范围内的比热容.通过计算出的比热容拟合出Ge30Se70玻璃和晶体的比热容方程,即cpJ=0.0002T+0.3337和cp.c=0.00006T+0.4594.Ge30Se70试样的Tg和T0分别为590和581 K,且TG随着升温速率R的增大而增加.在低于玻璃转化温度前时,Ge30Se70玻璃试样的平均比热容约为11.8 J/(mol·K),红外透过率约为60％,红外性能良好.获得Ge30Se70玻璃的约化转变温度Trg介于0.5～0.667之间,形核率极低,表明Ge30Se70玻璃的成玻能力良好.
关键词:
硫系玻璃
,
分段加热法
,
玻璃转变温度
,
比热容
蔡康
,
赵洪阳
,
马志斌
,
KIMURA Hideo
,
贾婷婷
,
程振祥
人工晶体学报
采用脉冲激光沉积技术(pulsed laser deposition,PLD),在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了La0.1Bi0.9FeO3(BFO),Bi0.5(Na0.85K0.15)0.5TiO3(BNKT)和BFO/BNKT纳米复合薄膜.结果表明,复合薄膜的铁电特性比单层的BFO、BNKT薄膜有所增强.利用压电力显微镜(piezoresponse force microscopy,PFM)观察到了铁电畴.由于畴结构内部矫顽力分布不均匀,导致极化反转随时间改变,疲劳测试结果也证实了该结论.随着转换周期的增加,极化随之增强.运用PFM测量了纳米级的压电响应,同样证实了BFO/BNKT复合薄膜中的畴反转现象.
关键词:
多铁
,
薄膜
,
脉冲激光沉积
,
压电力显微镜
