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一维GaN纳米材料制备及其光电器件研究进展?

贾若飞 , 杨丽丽 , 杨丰 , 王飞 , 杨慧 , 李岚

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.11.007

一维GaN纳米材料相对于薄膜材料在光电器件应用方面具有诸多优势，本文主要论述一维 GaN 纳米材料的主要制备方法及其光电器件应用的研究进展。首先分别介绍采用 MOCVD、MBE、CVD 及模板法制备一维GaN纳米材料，重点论述GaN纳米材料的结构与形貌调控。其次介绍一维 GaN 纳米材料分别应用于主要光电器件包括LED、太阳能电池、激光器及光探测器的研究动态，讨论纳米材料性能、结构以及制备技术对其器件性能的影响。最后对一维GaN纳米材料的发展与应用前景进行展望。

关键词: GaN , 纳米线 , CVD法 , LED , 光探测器