王得勇
,
刘杰
,
贾金锋
,
刘洪
,
薛其坤
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.04.028
近年来,光电子谱被广泛应用于薄膜中量子阱态的研究.为解释薄膜中分立的量子阱态和薄膜的光电子谱间的关系,发展了一些理论模型.介绍了近自由电子模型、相位积累模型和电子干涉模型等关于薄膜中量子阱态的理论模型,并用它们解释了量子阱态在光电子谱中峰位和线宽.线宽由准粒子寿命的倒数Г以及电子在表面和界面反射系数的和R决定,电子波矢К以及电子在表面和界面相位移之和Ф决定了峰的位置.
关键词:
光电子学
,
量子阱态
,
近自由电子模型
,
相位积累模型
,
电子干涉模型
,
光电子谱
