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Ru0.9375Mn0.0625Si3的电子结构及光学性质研究

崔冬萌 , 贾锐 , 谢泉 , 赵珂杰

稀有金属材料与工程

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺入Mn的电子结构和光学性质进行了研究.计算结果表明:掺入这种杂质使得Ru2Si3的晶胞体积均有所增大.Ru2Si3中掺入Mn时,Mn原子替换RuI位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为p型,静态介电函数ε1(0)非常大,同时折射率n0的值变化较大,达到了17.722.

关键词: 掺杂Ru2Si3 , 电子结构 , 光学性质 , 第一性原理

BaTiO3薄膜的Sol-gel法制备及其介电特性研究

沈良 , 宋世庚 , 贾锐 , 陶明德

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2000.03.006

以钛酸四丁酯和乙酸钡为主要原料,以乙二醇独甲醚为溶剂,采用溶胶凝胶法成功地配制出了BaTiO3溶胶,溶胶清晰稳定,保存时间长.并用XRD分析了沉积在Si(100)低阻硅片上的薄膜的结构,发现薄膜在600℃时结晶状态已良好.文中同时对薄膜的介电性质进行研究,并讨论了退火温度对薄膜介电性质的影响.

关键词: BaTiO3薄膜 , 溶胶-凝胶法 , 介电性质

InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究

武光明 , 朱江 , 李月法 , 贾锐

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.06.002

在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线,并研究了量子点、线的光学性质.结果表明,两种方式都可生长出较强发光的量子点(线);由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构,分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的.

关键词: 材料科学基础学科 , InAs自组织量子点(线) , 光致发光光谱 , 浸润层

InAs自组织量子点(线)的制备和表征

武光明 , 李月法 , 贾锐

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2002.05.008

在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料,通过改变生长方式,得到了InAs量子点和量子线.根据扫描电镜和透射电镜观测结果的分析,认为衬底旋转时浸润层三角形状的台阶为InAs量子线的成核提供了优先条件,停止衬底旋转时InAlAs缓冲层沿[110]方向分布的台阶促使InAs优先形成量子点.讨论了量子点和量子线的形成机理.

关键词: 分子束外延生长 Stranski-krastanow模式 InAs自组织量子点(线) InAlAs覆盖层

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