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Si0.75Ge0.25虚衬底上应变补偿Si/Si0.61Ge0.38量子阱发光

廖凌宏 , 周志文 , 李成 , 陈松岩 , 赖虹凯 , 余金中 , 王启明

材料科学与工程学报

由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si1-x Gex虚衬底上外延应变补偿的Si/S1-y Ge,(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上.在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiG...

关键词: 低维无机非金属材料 , 量子阱 , 光致发光谱 , 弛豫缓冲层