张小桃
,
谢建军
,
夏长泰
,
张晓欣
,
肖海林
,
赛青林
,
户慧玲
人工晶体学报
作为垂直结构的GaN基LED新型衬底材料,β-Ga2 O3单晶已经引起了人们的广泛关注.β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4掺入是其中一种很好提高-Ga2O3导电性的方法.利用光学浮区法生长了尺寸为5×20 mm2,掺杂浓度为10％的掺锡氧化镓单晶(Sn∶ β-Ga2O3),并对Sn...
关键词:
Sn∶β-Ga2O3
,
浮区法
,
电导率
,
荧光光谱
赛青林
,
夏长泰
,
狄聚青
,
王璐璐
人工晶体学报
采用光学浮区法成功地生长出了质量良好的共晶.通过XRD分析,确认了共晶组成中仅含有Al2O3和YAG两种晶相,发现随着Cr的掺入,两相的晶胞参数相对于纯单晶略有增大.通过SEM观察发现共晶组织中两种晶相无序交错排布,共晶间距约10 μm左右.测量了室温下掺Cr共晶的吸收光谱、激发光谱和发射光谱.在4...
关键词:
共晶
,
浮区法
,
吸收光谱
,
激发光谱
,
发射光谱
吕正勇
,
施鹰
,
殷录桥
,
夏长泰
,
赛青林
,
狄聚青
人工晶体学报
采用光学浮区法生长了质量较好(Y0.99-xCe0.01Gdx)3Al5O12-Al2O3共晶,直径约为7 mm,长度约为25 mm.通过XRD分析,结果表明共晶中只有Al2O3和YAG两种晶相;通过SEM观察表明,两种晶相在三维空间交错生长,形成自生互穿网络结构,共晶间距为10 μm左右.在室温下...
关键词:
(Y0.99-xCe0.01Gdx)3Al5O12-Al2O3共晶
,
浮区法
,
发射光谱
崔宏伟
,
陈建玉
,
丁雨憧
,
狄聚青
,
赛青林
,
赵广军
人工晶体学报
本文通过优化晶体生长工艺,采用提拉法生长了浓度分别为0.5at％、1at％和3at％系列高质量Pr3+掺杂Lu3Al5O12晶体.通过ICP、透射光谱、荧光光谱等系统研究了晶体性能.结果表明:Pr∶ LuAG晶体在紫外光范围内有较强吸收峰；X射线激发荧光峰较光致激发荧光峰发生蓝移；随掺杂浓度的提高,...
关键词:
Pr∶LuAG晶体
,
晶体生长
,
光学性能
张宏哲
,
王林军
,
夏长泰
,
赛青林
,
肖海林
人工晶体学报
本论文综述了宽禁带半导体β-Ga2O3材料的研究进展,包括晶体结构,生长方法,掺杂离子,光学性质和电学性质.β-Ga2O3可以作为GaN基LEDs的潜在衬底,同时它也在MOSFET和紫外光探测器方面有着重要的应用前景.
关键词:
β-Ga2O3
,
晶体生长
,
LED
,
MOSFET
,
紫外光探测器
王璐璐
,
夏长泰
,
赛青林
,
狄聚青
,
牟菲
人工晶体学报
采用浮区法生长了质量较好的Si∶β-Ga2O3单晶,直径约为8mm,长度约为2 cm.进行了X射线粉末衍射和X射线荧光分析,结果表明所得Si∶β-Ga2O3单晶属于单斜晶系,而且Si确实进入了β-Ga2O3格位中；在室温下测试了Si∶β-Ga2O3吸收光谱,吸收截止边约为255 nm,并分析了退火对...
关键词:
Si∶β-Ga2O3
,
浮区法
,
光谱
肖海林
,
邵刚勤
,
赛青林
,
夏长泰
,
周圣明
,
易学专
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160135
通过光学浮区法生长了不同浓度的β-(Al,Ga)2O3混晶.当Al3+掺杂浓度达到0.26的时候,晶体生长出现开裂现象.进行X射线衍射分析,结果表明所得β-(Al,Ga)2O3混晶保持了β-Ga2O3的晶体结构,晶体没有出现其他杂质相,并且随着Al3+浓度的增加,晶格常数a、b、c减小,β角增大;核...
关键词:
β-Ga2O3
,
Al3+
,
禁带宽度
,
半导体
