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光导型GaN/Si探测器的研制

江若琏 , 席冬娟 , 赵作明 , 陈鹏 , 沈波 , 张荣 , 郑有炓

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.030

采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器.探测器的光谱响应表明,在紫外波段250-360nm有近于平坦的光电流响应,363nm附近有陡峭的截止边,357nm波长处5V偏压下的响应度高达6.9A/W.响应度与偏压的变化关系表明,4V以前为线性增...

关键词: Si基GaN , 探测器 , 响应度

Si基GaN上的欧姆接触

赵作明 , 江若琏 , 陈鹏 , 席冬娟 , 沈波 , 郑有炓

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.032

研究了Si基GaN上的欧姆接触.对在不同的合金化条件下铝(Al)和钛铝铂金(Ti/Al/Pt/Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析.Al/GaN在450℃氮气气氛退火3min取得最好的欧姆接触率7.5×10-3Ω.cm2,而Ti/Al/Pt/Au/GaN接触在650℃氮气气氛退火20s...

关键词: Si基GaN , 欧姆接触 , Al , Ti/Al/Pt/Au

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