郭天雷
,
赵发展
,
刘刚
,
海潮和
,
韩郑生
,
袁国顺
,
李素杰
,
姜明哲
,
张英武
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.011
对辐照加固的部分耗尽(Partially Depleted)SOI 8位微控制器(MCU)的总剂量辐照特性进行研究.该微控制器功能完全兼容intel MCS-51系列的80C51微控制器,采用1.2μm辐照加固的PDSOI CMOS工艺技术制备,芯片尺寸约为6.4mm×6.8mm.对该微控制器及同工...
关键词:
部分耗尽SOI
,
微控制器
,
总剂量
,
辐照加固
